场效应管参数

型号       封装  材料   用途    参数

7N60HTO-263NMOS开关电源7A/600V

7N65HTO-263NMOS开关电源7A/650V

840S  TO-263NMOS安定器  8A/500V

4N60HTO-262NMOS充电器 4A/600V

13N50HTO-263NMOS开关电源13A/500V

24N50HTO-3PNMOS逆变器20A/500V

3510A TO-263 NMOS安定器 75A/100V

28N50HTO-3PNMOS开关电源28A/500V

75NF75 TO-263 NMOS 电动车 80A/80V

100N03A TO-263 NMOS 保护器90A/30V

2803A TO-263 NMOS 保护器 150A/30V

1N60H TO-251 NMOS 开关电源 1A/600V

1N65H TO-251 NMOS 开关电源 1A/650V

20N50HTO-220FNMOS逆变器20A/500V

2N60H TO-251 NMOS 开关电源 2A/600V

2N65H TO-251 NMOS 开关电源 2A/650V

40N20ATO-3PNMOS逆变器40A/200V

2806ATO-3PNMOS逆变器160A/60V

4N60H TO-251 NMOS 开关电源 4A/600V

4N65H TO-251 NMOS 开关电源 4A/650V

9N90HTO-220FNMOS安定器9A/900V

6110A TO-251 NMOS开关电源 12A/100V

50N06TO-220FNMOS逆变器50A/60V

1N60H TO-252 NMOS 开关电源1A/600V

5N50H TO-252NMOS安定器5A/500V

830STO-252NMOS安定器5A/550V

2N60HTO-250NMOS开关电源2A/600V

2N65HTO-250NMOS开关电源5A/650V

840STO-252NMOS安定器8A/500V

4N60HTO-252NMOS开关电源4A/600V

10N60HTO-220FNMOS逆变器9.5A/600V

10N80HTO-220FNMOS逆变器10A/800V

35P10ATO-252PMOS报警器-35A/-100V

KND4360ATO-252NMOS开关电源4A/650V

4750STO-252NMOS安定器9A/500V

50N03ATO-252NMOS保护器50A/30V

50N06BTO-252NMOS安定器50A/60V

20N40HTO-3PNMOS逆变器20A/400V

20N50HTO-3PNMOS开关电源20A/500V

3510ATO-252NMOS安定器65A/100V

23P10ATO-252PMOS报警器-23A/-100V

9N90HTO-247NMOS逆变器9A/900V

16N50HTO-247NMOS逆变器16A/500V

2N60HTO-220FNMOS开关电源2A/600V

3N80HTO-220FNMOD开关电源3A/800V

18N52HTO-247NMOS逆变器18A/500V

20N50HTO-247NMOS逆变器20A/500V

24N50HTO-247NMOS逆变器24A/500V

28N50HTO-247NMOS 逆变器28A/500V

4N60HTO-220FNMOS逆变器4A/600V

4N65ETO-220FNMOS 开关电源4.5A/600V

7N60UTO-220FNMOS 逆变器7A/600V

18N20ATO-220FNMOS开关电源18A/200V

9N90HTO-3PNMOS逆变器9A/900V

10N80HTO-3PNMOS逆变器10A/800V

16N50HTO-3PNMOS开关电源16A/500V

18N50HTO-3PNMOA逆变器18A/500V

场效应管主要参数

Idss—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压

UGS=0时的漏源电流.

Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

Ut—开启电压.是指加强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.

gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制才能,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.

gM是权衡场效应管放大才能的重要参数.

BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必需小于BVDS.

PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.

运用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有一定余量.

IDSM—最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流.场效应管的工作电流不应超越

IDSMCds---漏-源电容

Cdu---漏-衬底电容

Cgd---栅-漏电容

Cgs---漏-源电容

Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容

D---占空比(占空系数，外电路参数)

di/dt---电流上升率(外电路参数)

dv/dt---电压上升率(外电路参数)

ID---漏极电流(直流)

IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流

IDQ---静态漏极电流(射频功率管)

IDS---漏源电流

IDSM---最大漏源电流

IDSS---栅-源短路时，漏极电流

IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)

IG---栅极电流(直流)

IGF---正向栅电流

IGR---反向栅电流

IGDO---源极开路时，截止栅电流

IGSO---漏极开路时，截止栅电流

IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流

IF---二极管正向电流

IGSS---漏极短路时截止栅电流

IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流

Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)

gfs---正向跨导

Gp---功率增益

Gps---共源极中和高频功率增益

GpG---共栅极中和高频功率增益

GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导

gds---漏源电导

K---失调电压温度系数

Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)

LD---漏极电感

Ls---源极电感

rDS---漏源电阻

rDS(on)---漏源通态电阻

rDS(of)---漏源断态电阻

rGD---栅漏电阻

rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻(外电路参数)

RL---负载电阻(外电路参数)

R(th)jc---结壳热阻

R(th)ja---结环热阻

PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率

PIN--输入功率

POUT---输出功率

PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)

to(on)---开通延迟时间

td(off)---关断延迟时间

ti---上升时间

ton---开通时间

toff---关断时间

tf---降落时间

trr---反向恢复时间

Tj---结温

Tjm---最大允许结温

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Tstg---贮成温度

VDS---漏源电压(直流)

VGS---栅源电压(直流)

VGSF--正向栅源电压(直流)

VGSR---反向栅源电压(直流)

VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)

VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)

Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)

VGS(th)---开启电压或阀电压V(BR)

DSS---漏源击穿电压V(BR)

GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压

VDS(sat)---漏源饱和电压

VGD---栅漏电压(直流)

Vsu---源衬底电压(直流)

VDu---漏衬底电压(直流)

VGu---栅衬底电压(直流)

Zo---驱动源内阻

η---漏极效率(射频功率管)

Vn---噪声电压

aID---漏极电流温度系数

ards---漏源电阻温度系数

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