MOSFET（场效应晶体管）基本原理

电容器：容纳电荷的器件平行电容器由电容器的极板和电介质组成

电容：

单位F，表示电容器容纳电荷的能力

介电常数越大，C越大；极间间距越大，C越大

NMOS和PMOS：

电场：阻止相互扩散

CMOS反相器结构信号转变过程：

VIN：0 NMOS导通，PMOS关断

VIN：1 PMOS导通，NMOS关断

输入信号：

1——0 电源给负载电池充电，输出信号由0到1

0——1 负载电池放电，输出信号由1到0

CMOS是低功耗电路结构的最优选择：

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