铁电存储器FRAM的特性
首先我们解释一下FRAM是什么。FRAM是电子元器件中的一种半导体产品。半导体产品有微处理器、逻辑器件、模拟器件、存储器件等各种器件。
FRAM是DRAM和闪存等存储设备之一。FRAM代表铁电随机存取存储器。它也被称为铁电存储器，因为它使用铁电元件来存储数据。
◼四种FRAM特性
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
通过四大特性，FRAM可以满足客户对存储设备的要求，例如获取更多数据和保护写入数据。
◼与其他内存的比较
表1显示了与其他可替换为FRAM的EEPROM、闪存、SRAM存储设备的比较。
FRAM比非易失性存储器的EEPROM和Flash存储器具有更好的“保证写入周期”和“写入周期时间”特性。虽然SRAM需要数据备份电池来保存数据，但FRAM不需要它，因为它是非易失性存储器。
由于上述原因，FRAM相对于其他传统存储设备具有优势。
◼FRAM特性ー高读/写耐久性
首先是“高读/写耐久性”。
“高读写耐久性”意味着内存可以多次读写数据。这个数字越高，您可以读写的数据就越多。
FRAM保证最多10万亿次写入，相当于EEPROM的100万次写入100万次。虽然一些新的EEPROM可以保证400万次写入，但与FRAM的数字差异仍然很大。
10万亿次写入意味着您可以在很短的时间内重写数据，每0.03毫秒一次，连续10年。在正常使用情况下，这个值意味着几乎无限，使用FRAM，您可以获得比使用EEPROM更频繁和准确的数据。
通过使用具有这一优异特性的铁电存储器，客户可以高频率和高精度地收集数据。因此客户可以通过了解他们以前看不到的复杂数据曲线来了解数据的真实行为。
◼FRAM特性ー快速写入速度
接下来，我们继续“快速写入速度”。
FRAM中完成写操作的时间比EEPROM短。这意味着铁电存储器具有更快的写入速度。
EEPROM需要长达5ms的写入时间，因为在写入操作之前需要进行耗时的擦除操作。而FRAM不需要这种擦除操作，只覆盖数据，更简单，因此写入时间短至150ns，比EEPROM快33000多倍。通过这种快速写入，即使突然断电，也可以在断电前完成写入操作。
实际上我们使用我们的演示板进行了100多次数据写入失败测试。结果它观察到FRAM没有写入错误，而EEPROM每3次测试就有一个写入错误。
即使通过该测试，我们也确认即使在突然断电的情况下，FRAM中也不太可能发生写入错误。
◼FRAM特性ー降低功耗
第三个特点是“低功耗”。
当我们专注于写操作时，FRAM可以降低92%的功耗。这是因为FRAM的写入时间比EEPROM短很多。
差异取决于条件，但在非常频繁的数据记录下运行时，FRAM有助于降低客户最终产品的功耗。
FRAM是一种非易失性存储器，不需要像SRAM那样的数据保持电流。因此客户将不再需要将SRAM替换为FRAM的数据备份电池。
铁电存储器FRAM的特性相关推荐
- 铁电存储器FRAM与其他内存的比较
FRAM是一种非易失性存储器,因为它结合了ram和非易失性存储器的优点.相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据.具有高读写耐久性和快速写入速度.英尚微存储芯片供应 ...
- 用铁电存储器FRAM让穿戴式设备更省电
可穿戴设备应用中的显示屏消耗了大部分电池电力.解决方法之一是直接提高电池容量,但是大容量电池会加大尺寸和重量,对可穿戴设备不合适,尤其是在市场不断追求更小型化的新款产品时更是如此.更具挑战性的是电池技 ...
- 铁电存储器F-RAM
赛普拉斯铁电存储器CY15B064Q-SXET, 以上是20210527的价格
- 分享FUJITSU铁电存储器FRAM 2MBit SPI MB85RS2MTA
富士通型号MB85RS2MTA是采用262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元.能够保持数据,而无需使用SRAM所需的备用电池.MB85RS ...
- 铁电存储器FRAM的优劣势
FRAM凭借高速读写入.高读写耐久性.低功耗和防窜改方面的优势,被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品.FRAM产品的主要厂商包括英飞凌.日本富士通半导体和其他公司,这几家公司代表了当今世界最先 ...
- FRAM（铁电存储器）
转载地址:http://blog.sina.com.cn/s/blog_573162c101000dfm.html 什么是铁电存储器? 相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性 ...
- 铁电存储器 - Ferroelectric Random Access Memory（FRAM)
相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性.传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性.易失性的存储器包括静态存储器SRAM(static random access ...
- FRAM 铁电存储器
什么是FRAM FRAM (铁电随机存取存储器) 是被称为 FeRAM.这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据.FRAM 具有 ROM (只读存储器) 和 RAM (随机存取器),在高速写入.高耐 ...
- 介绍一款cypress铁电存储器CY15B104QSN
cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器.铁电随机存取存储器(即FRAM)与RAM相同,是执行读和写操作的易失性存储器.它提 ...
最新文章
- 读书笔记--C陷阱与缺陷（三）
- C#读取Excel文件，准换为list
- nodejs之思维导图（浅理解）
- w550官方例程_急！求索爱w550的刷机所需要的所有文件! 全部分送上！
- Python入门3_之使用字符串
- 全球金融科技发明专利排行榜（TOP20）
- 【AD】Altium Designer 原理图的绘制
- python希尔伯特变换_Hilbert变换提取信号特征的Python实现
- 2019年六项扣除 个税计算器
- vue实现PC端和移动端的界面切换
- 流程表结构设计第二版
- Python 获取当前时间 年-月-日-时-分-秒
- w10启动无法修复此计算机,Win10启动修复无法修复你的电脑解决方法
- SAP的成本中心和利润中心的关系
- 首先实现立即执行轮询函数，然后setInterval再间隔执行轮询函数，实现方法
- 永信至诚的平行仿真术，大潘：穿过这场“连环梦”
- leetcode(力扣）刷题笔记（c++）【中】
- 关键词排名难度分析怎么做？
- zw函数和nt函数的区别
- react native开发Android 篇——集成自定义的字体