物理结构分类

ROM

固定ROM

可编程ROM

可擦除可编程ROM

EPROM

EEPROM

Flash Memory

NOR Flash

NAND Flash

3D NAND Flash

固定ROM,只读存储器

特点

制造前就设计好，制造后无法改变结构和存储数据

结构一

门电路组成的地址译码器和半导体二极管（作为受控开关）

结构二

用晶体管作为受控开关元件
组成ttl或cmos型rom

PROM 可编程ROM

特点

只能编程一次

结构

仍然用半导体二极管或晶体管作为受控开关元件，不同的是再等效开关电路中传接了一个熔丝，没有编程前都是连通状态，都储存1。编程时用工具将熔丝熔断，该储存单元就改写为0

可擦除可编程ROM

下面讲Flash Memory

大部分引用 wiki闪存

知识储备

引用百度随机存取

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的
静态随机存取存储器
静态随机存取存储器
位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。

历史（挑重点）

闪存（无论是NOR型或NAND型）是舛冈富士雄博士1980年申请了一个叫做simultaneously erasable EEPROM的专利。
NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的定址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。

舛冈富士雄没有停止追求，在1986年发明了NAND Flash，大大降低了制造成本。NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。

因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取，所以NAND Flash不适合取代那些用以装载程序的ROM。从这样的角度看来，NAND Flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia，此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。

瞎bb

剩下的知识有限，正在学习。下面的目标是存储单元电位阶数划分，就是SLC,MLC,TLC,QLC，好像是用不同电压储存多个值，具体的再看看。再看看主控，缓存啥的。
还有再看看emmc，ufs这些，搜到了不少资料
https://mobile.pconline.com.cn/913/9130147.html
https://zhuanlan.zhihu.com/p/26551438

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闪存，ROM，Nor Flash，NAND Flash

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结构一

结构二

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