《手把手教你学DSP》总结1

1.开始学习时不要纠结DSP的具体结构，大体了解有哪些功能模块即可，DSP的工作原理不是重点，在后期使用时再详细弄懂所需结构的详情

2.C2000系列即TMS320C2000包括F24XX，C28XX，F28XX为低端型号，C5000系列面向低功耗，C6000系列面向高性能

3.TI的DSP型号含义

例如：

TMS320F2812PGFA

例如：TMS320F2812PGFA

1.前缀：TMX=实验器件； TMP=原型器件 TMS=合格器件
2.系列号：320=TMS320系列
3.引导加载选项：（B）
4.工艺：
C=COMS
E=COMS ；EPROM
F=Flash ； EEPROM
LC=低电压CMOS（3.3V）
LF=Flash ； EPROM（3.3V）
VC=低电压CMOS（3V）
5.器件类型：
20x DSP
24x DSP
54x DSP
55x DSP
62x DSP
64x DSP
67x DSP
3X DSP
6.封装类型：
PAG=64 -引脚塑料TQFP
PGE=144 -引脚塑料TQFP
PZ=100 -引脚塑料TQFP
7.温度范围：（默认0°C-70°C）
L=0°C~70°C
A=-40°C~85°C
S=-40°C~125°C
Q=-40°C~85°C,Q100 Fault Grading
8.补充说明：
PLCC=带J形引线的塑料芯片载体
QFP=四方扁平封装
TQFP=薄四方扁平封装

另补充ROM/PROM/EPROM/EEPROM/FLASH的区别

ROM（掩膜)指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺， 一次性制
造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本
低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！ PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品只允许写入一次，所以也被称
为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以
根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实
现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以
足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为
使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖
特基二极管”，造成其永久性击穿即可。 EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特点是具有可
擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。这一类芯片特别容易识别，其
封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到
阳光直射。 EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。
它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。EEPROM不能取代RAM的原应是其工艺复杂， 耗费的门电路
过多，且重编程时间比较长，同时其有效重编程次数也比较低。 Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大
特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)， 而EEPROM则可以一次只擦除一
个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用
领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，
因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

4.TTL与CMOS电平

		高	低
TTL	输入	>2.0V	<1.2V
TTL	输出	>2.4V	<0.8V
CMOS	输入	>0.7Vcc	<0.3Vcc
CMOS	输出	>0.9Vcc	<0.8Vcc

其中Vcc=3.3V

问题：如果输入输出电压位于中间怎么办？

答：这个是规定可允许最小或最大电平，若处于中间将引起混乱。

5.DSP引脚分类：

电源信号；外部存储器接口信号（XINTF）-用于与外部存储器连接以拓展DSP的RAM或FLASH空间；ADC模拟输入信号；通用输入/输出（GPIO）或外围信号；JTAG接口（用于烧录测试）及其他信号

电源产生电路的电压：3.3V for FLASH, 1.8V for 内核电压（根据具体确定）有的内核1.8V时主频135MHz，1.9V时150MHz

6.上拉与下拉电阻（还是不太懂！）

7.在电源设计时，AGND与DGND由电感连接，电源与地由电容链接

电源芯片TPS767D301/D381 TPS76833

3.3V-5V电平转换芯片（用于提高电压）SN74ALVC164245

驱动电路（可用于PWM输出端提高驱动能力）74HC245

ADC校准是采用的CJ431基准电压

芯片的使用电路可由Datasheet查出

ADC的输入要有保护电路以保证不会产生高于3.3V或低于0V的电压损坏芯片，常采用钳位电路

当Internal大于VDD时，D1导通，ADC输入端Pin的电压大小为VDD，当Internal小于0V时，D2导通，使得Pin接地即为0.

8.地址总线和数据总线的数量决定可外接存储器的大小

地址总线AB决定存储器单元个数为2的AB次方，数据总线DB决定每个单元的宽度为DB位。总大小为2的AB次方乘以DB位

9. 通信线：SCI、CAN、SPI、McBSP（有待研究）

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