芯片片上SRAM存储概略及生成使用实践（下）

在历经了前两part的了解和熟悉后，对于SRAM的了解基本已经了然如心了。
小伙伴们在这里就可以使用自己学习的知识，就可以对SRAM的生成和遴选可以建立一套自身的方法学和流程。在这一章节，笔者分享一些浅见，对这个自动化的流程进项一些头脑风暴和讨论。

SRAM 生成方法

基于不同工艺和FAB，都会有相应的memory team对指定工艺进行memory array和peripheral进行构建。这里的构建是指的是构建一些基础组件，然后通过打包的方式进行封装，以自动化命令的方式交付给用户，方便用户进行不同的配置和选型。
不同的SRAM vendor提供的套件往往不尽相同，有的可以支持GUI和batch，有的支持batch。相较而言，batch是一定要支持的，否则在大型项目下这类工作没法批量开展。这里以T家为例，使用batch mode进行SRAM的生成

> tsn7_1prf.exe -NonTsmcName -file $CFG_FILE

各家的SRAM都有自己默认名称，但是用户为了自身数据管理便利，通常需要使用自己的名称来进行规划，所以在T家的mem-gen的时候，建议大家使用自己的$CFG_FILE 进行名称定义，当然，这里的$CFG_FILE需要指定出SRAM具体的位宽、位深以及column MUX的信息。简单示例如下
)
T家的command line还支持其他的一些选项，包括并不限于

SRAM datasheet：包含SRAM的各种时序、功耗和物理信息
各种view的生成选择
- verilog仿真模型
- DFT view
- timing view
- Masis view
- SPICE view
- GDS view
- LEF view
- VOLTUS view
不同配置的选择（鉴于memory类型的不同，并非每种配置都可生成出来对应的memory，用户需要检查memgen 日志）
- DualRail：VDD/VDDM 时候使用不同的rail
- ULVT/SVT：对peripheral 的std-cell VT的选择，
- BIST：控制是否支持MBIST模式
- bit-wise：是否支持bit 写操作
- etc…

所有的可配置接口都可以通过batch 模式下进行配置。这样的好处是可以支持用户在大面积SRAM遴选生成的时候实现自动化。
类似的SNPS在mem-gen里，会提供batch以及GUI接口，GUI操作相对方便一些，但是在批量生产的时候，还是需要使用batch提高生产效率
)

实际项目中SRAM 遴选维度

有了上述的讲解以及工具的支撑，用户基本已经可以开始进行SRAM的生成了。上述的信息和资源最终都是支持实际项目的工具，项目对于不同SRAM的比较、匹配和选型等操作，才是可以真正作用的实际项目上来的。
现在的大型芯片，SRAM的用量面积有甚者可以占到整个项目将近一半的面积，所以对于SRAM的选型需要从以下几个方面进行考量

基于工艺的SRAM vendor的选择
- 渠道1：通常FAB在提供工艺的时候，也会提供SRAM vendor的推荐，常规的讲，FAB自己的SRAM一般都是免费的（应该搜是被TO费用所涵盖），譬如T家或者S家都会提供自己对应工艺的SRAM产品
- 渠道2：一些第三方的SRAM vendor ，他们已经和FAB之间建立了坚实的商业合同，FAB也会分享给用户，让用户自己去选择，用户在流片的时候只需要少量的royalty费用即可。
- 渠道3：对于某个工艺，有一些商业客户专门去研发了SRAM，并且可以做到比原厂FAB更好的PPA，譬如S家，A家等等，这个时候用户在使用的时候，需要像采购IP一样去额外付费，如果用户对某项PPA确实倚重，可以考量花这笔钱。
Rail的考虑：这个由于牵扯整个芯片的rail设计，必须在初期考虑清楚，项目通常采用统一的策略。现在的SRAM都支持SD/DSLP设计，没有外围isolate逻辑的损耗，但是SRAM内部的处理一定是有isolate的代价的。基于项目对于功耗和性能的平衡，在初期选定rail模式是非常必要的。
STAM的DFT相关：
- BIST：由于SRAM里边有peripheral std-cell，这个MBIST的DFT功能可以支持对这类std-cell的fault定位。代价是由于输入pin脚的急剧增多，可能对于APR是个新的挑战，通常为了节省绕线资源，会跳过这些peripheral std-cell的MBIST 测试，直接对整块memory （包含memory array）进行MBIST测试
- BISR：为了实现良率，BISR有时也是需要，尤其是column redundancy bit，通过FAB给的数据，1bit的redundancy通常可进行修一检二的操作，性价比还是很高的。
- 所有的SRAM DFT相关部分，都需要额外的STD-cell支持，此类面积通常是memory 面积的5%~10%上下，对于大型芯片，在架构设计和面积评估的时候，此部分的影响需要全盘考量
形状：由于过多memory （或者memory array）的存在，memory形状对于APR的floorplan和pin access有比较大的影响。具体示例可见：来做一次装修之版图实现第二步 – Floorplan 。这里有几点需要注意：
- 不要因为速度原因将column mux设置过大。导致memory 过度扁平
- 不要创建过小size的memory，有可能会导致常规的pg strap不能直接落在memory上，降低电源连接性能等等。
时序：这里重点说一下时序。由于memory的分布很广，项目很大的时候，memory的时序问题会成为某些核心组件的性能瓶颈，譬如：L1/L2 etc. 所以在对memory选型的时候，这里需要特注意一下几个要素
- Tcycle: Minimum CLK cycle time CLK^ CLK^。这个参数描述的是这个memory所能支持的最小周期（最高频率），这个一定是要比项目规划的频率要高，另外由于这个参数也是一个clock input transition的查找表，通常clock-transition一版会定义为50ps左右，所以这里建议，选择memory的时候，Tcycle需要比项目的需求多一个20%的余量。如果项目的主频是1G，那么就要要求SRAM的Tcycle time在 ssg的条件下不能超过：0.8ns
- Tckh/Tckl Minimum CLK Pulse High/Low。通常各是Tcycle的一半上下，这里需要注意一点，对于级数过多（latency 过长）的时钟网络，必须优先使用clock inverter来构建clock tree，这样才能在leaf（memory clock pin）控制好占空比，也就是尽量可以满足：Tckh/Tckl
- Tcd/Tacc: CLK to valid Q (data output)。这个是描述从memory 到Q 输出的时间，这个对from-memory的datapath影响比较大。
  
  由于memory的规模通常比较大，这个访问时间通常都有200ps~朝上，所以对于一个timing path来看的化，这里可能是一个path上data的最大损耗
  
  可以看到通过就降低Tqd和Tcd或者提高useful skew（Tlat_2 - Tlat_1）,可以提高芯片的性能。
  通常对于Tcd，要求不能超过整个period的60%为宜
功耗：不同的选型的memory 功耗也有不同，这时候memory的peripheral的ULVT和LVT的占比会让leakage有明显的区别，在选型的时候，需要辨别这两种的类型对时序的影响，从而采用合适的类型。

实际项目中SRAM 生成简易流程

通过对memory各项属性的理解，这里可以使用下面的简易流程来进行生成和遴选流程

确定rail和DFT对memory的通用需求
明确memory的位深和位宽需求，如果过大需要手动或者自动，基于前后端的定义的规律进行拆分
满足上述要求的memory进行批量生成：位宽、位深，column MUX和LVT/ULVT等配置不同，出来的结果不尽相同，这里需要遍历所有可能，提高选择范围
对所有的memory进行时序性能分析。需要同时满足上述描述的Tcd和Tcycle带余量的情况，才是可以用的memory
如果有满足时序要求的memory，再对功耗，高宽比进行再次遴选，选择功耗小，高宽比合理的memory交付实现使用；如果没有满足时序要求的memory，重新进行拆分（通常将位深砍半，时序会比较容易满足），然后再重复步骤3~5，直到选出合适的memory。

要点：

memory的生成数据量巨大，一定需要使用脚本化的生成模式，譬如：excel-> perl -> memgen batch run -> analyze datasheet -> release suitable memory。
选型初期，可以只看datasheet，其他view可以先不生成，这样可以提高速度和减少磁盘占用。
CM不宜过大来满足timing，可以适当拆分，让memory的形状更为合理。
默认使用LVT进行memory的peripheral规划，如果ECO的阶段有时序障碍，可以考量调换到ULVT进行局部timing pushing，可以牺牲一部分leakage 来换取性能和节省迭代周期。
同等logic memory的对应physical memory，尽量选择同等规格，这样在floorplan布局的时候会容易处理，减少channel，提高利用率。

本章词汇

词汇	解释
Tcycle	memory 支持的最小周期（最高频率）
Tcd/Tacc	memory 的访问时间 CLK-> Q

【敲黑板划重点】

通过三篇的学习，对于memory的结构，原理，特征参数、批处理生成和项目遴选都有了基本的了解和认识，希望这个系列的文章可以带给大家灵感和启发，在项目中可以更好地理解和应用memory，对项目带来更高效的收益和PPA。

参考资料

TSMC TSMC N7 SRAM Compiler Databook
Synopsys Embed-It! Integrator User Manual