浅谈GD32与STM32之间的区别

一.硬件设计

以我们常用的STM32与GD32单片机为例，做一下对比。

比较GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3），GD32F303CG（M4），STM32F103C8（M3），STM32F303C8T6（M4）硬件管脚的区别。

从上图中可以看出：

GD32E230C8（M0）与STM32G030C8（M0）管脚不兼容；
GD32F103C8（M3）与STM32F103C8（M3）管脚兼容；
GD32F303CG（M4）与STM32F303C8T6（M4）管脚兼容。

GD32E230C8（M0），GD32F103C8（M3）,GD32F303CG（M4）有两个引脚（35脚和36脚）硬件电气不兼容，可以加电阻，用于切换，实现PCB板兼容。

下表是GD32E230C8单片机35和36管脚定义：

下表是GD32F103C8（M3）单片机35和36管脚定义：

*可以看出这两个管脚不兼容，若想实现PCB管脚兼容，可以加电阻。

下图是GD32E230C8单片机原理图：

从上图可以看出，在35和36脚加了3个电阻，2个上拉电阻和1个下拉电阻。

当使用GD32E230C8T6单片机时，35脚和36脚默认是普通IO口，可以按照上图所示连接电阻。
当使用GD32F103C8单片机时，35脚和36脚是电源口，此时可以把R6换成0欧姆的电阻，R7不焊接，R8焊接0欧姆的电阻。

二.设计中的不同点

1.工作电压不同：STM32的工作电压在2.0~ 3.6V或1.65~3.6V，GD32F的工作电压在 2.6~3.6V，工作范围相对要窄。

电压范围不同： GD32F： 2.6-3.6V STM32F： 2.0-3.6V（外部电压） GD32F： 1.2V（内核电压）STM32F： 1.8V（内核电压）

GD32的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD32的芯片在运行的时候运行功耗更低。

2.GD32F303/F103主频比STM32F103主频要高，GD32F10 系列主频： 108MHZ ， STM32F10 系列主频：72MHZ 。

3.启动时间：GD32 启动时间相同，由于 GD32 运行稍快，需要延长上电时间，配置(2ms) 。

4.GD32提高了相同工作频率下的代码执行速度，所以GD32的_NOP()时间比STM32更加短，所以不使用定时器做延时时要注意修改。

5.GD32的flash擦除时间要比STM32更长。

Flash 擦除时间： GD32 是 60ms/page，STM32 30ms/page

6.功耗上GD32的静态功耗要相对高一点

功耗区别(以128k以下容量的作为参考)

a：睡眠模式 Sleep：GD32F： 12.4mA STM32F10X： 7.5mA

b：深度睡眠模式 Deep Sleep： GD32F： 1.4mA STM32F10X： 24uA

c：待机模式 Stand By: GD32F: 10.5uA STM32F10X: 3.4uA

d：运行功耗： GD32F: 32.4mA/72M STM32F10X: 52mA/72M

7.GD32的BOOT0必须接10K下拉或接GND，ST可悬空。

BOOT0 管脚： Flash 程序运行时，BOOT0 在 STM32 上可悬空，GD32 必须外部下拉（从 Flash 运行，BOOT0 必须下拉地）。

8.RC复位电路必须要有，否则MCU可能不能正常工作，STM32有时候可以不要。

9.GD32的SWD接口驱动能力比STM32弱，可以有如下几种方式解决：

a：线尽可能短一些；

b：降低SWD通讯速率；

c: SWDIO接10k上拉，SWCLK接10k下拉。

10.GD32对时序要求严格，配置外设需要先打开时钟，否则可能导致外设无法配置成功；STM32的可以先配置再开时钟。

11.修改外部晶振起振超时时间，不用外部晶振可跳过这步。

原因：GD32与STM32的启动时间存在差异，为了让GD32 MCU更准确复位（不修改可能无法复位）。

12.串口通信不同点： GD32在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有。

GD32的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。

13.ADC不同点： GD32的输入阻抗和采样时间的设置和STM32有一定差异，相同配置GD32采样的输入阻抗相对来说要小。

14.FSMC不同点： STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。