场效应三极管及其放大电路学习笔记
场效应三极管及其放大电路
- 1、 场效应三极管介绍
- 2、 金属-氧化物-半导体-场效应三极管（MOS）
- 2.2、N沟道增强型MOSFET
1、 场效应三极管介绍
三端放大器件有FET（场效应三极管）和BJT（双极结型晶体管）,产效应三极管（FET）,简称产效应管。FET主要有两种类型：金属-氧化物-半导体效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。结型FET中的结可以是一个普通的PN结；也可以是一个肖特基势垒栅结。
2、 金属-氧化物-半导体-场效应三极管（MOS）
MOS管的分类：
- 场效应管主要有两大类：MOSFET和JFET；
- MOSFET按照导电载流子分为：N沟道MOSFET（电子型）和P沟道MOSFET（空穴型）；
- 按照导电沟道形成的方式分：增强型（E型）和耗尽型（D型）。
场效应管控制电流的原因：依靠电产效应来控制电流大小。
2.2、N沟道增强型MOSFET
（1）结构
他的结构图如下：
图（c）箭头方向表示由P（衬底）指向N（沟道），虚线表示没有加适当的栅压之前漏极与源极之间无导电沟道。
（2）工作原理
注意：电压VTN是指：在漏极电压一定时，开始导电时的栅源电压VGS称为开启电压VTN;
- 当VGS=0时：不能形成导电沟道，此时源极、漏极、衬底就会形成图（c）的结构，此结构就相当于两个PN结背靠背连接，无论VDS的值是大于零还是小于零，总是有一个PN结反偏，iD=0；
- 当VGS ≥VTN时：二氧化硅介质中就会产生由栅极指向衬底的电场，不会有栅极电流iG产生，这个电场排斥空穴，吸引电子，因此就会使栅极附近的P型衬底中的电子数量增加，从而使得空穴被排斥，留下负离子，形成耗尽层，当VGS升高到一定程度时，栅极附近的P型衬底表面就会形成N型薄层（也叫做电子反型层），N型薄层就是导电沟道，导电沟道就会将两个源极连接起来，如果此时在漏极和源极之间加上一个电压，将会有漏极电流iD产生;VGS越大，导电沟就越厚，同样的VGS（VGS>=VTN）,VDS越大iD就越大。
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