微纳加工技术_工艺模块_STI 浅槽隔离
工艺模块
文章目录
- 工艺模块
- 隔离
- LOCOS 隔离
- STI 浅槽隔离
- STI 制造流程
- 完成图
隔离
因为第一层布线有可能引起器件的反型，所以需要隔离；
LOCOS 隔离
氧化层一般500nm厚；22nm工艺的有源区一般也只有100nm的深度；
STI 浅槽隔离
STI: Shallow Trench Insulation With CMP
STI 制造流程
- pad oxide两个作用： 缓解应力，形成包角；
- STI槽并不希望是90°垂直的，因为我们也希望侧壁可以离子注入；
完成图
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