CMOS和TTL的区别？
TTL
双极型晶体管BJT（三极管）集成逻辑 构成芯片或者器件
开启电压：
为什么2V认定为输入高电平？
以与非门为例：A、B均为2V输入时，T1、2、5完全导通，T4截止，输出低电平；
为什么0.8V认定为输入低电平？
而如果A、B有其中一个输入为低电平0.8V，T1的发射极E点电压被拉低，T1、2、5截止，T4导通，输出高电平。
D1、D2起钳位作用，限制电流保护器件。
常用类型：
我们现在常用的74系列就是TTL器件，他的电平判断以为TTL电平为标准。除此之外，还有以下几种类型：高速型H-TTL、低功耗型L-TTL、肖特基型S-TTL、低功耗肖特基型LS-TTL
CMOS
互补对称是因为器件中N型MOS与P型MOS都出现在电路中。
输入电压特性： 供电电压：3-18V
低：0.3*VCC 高：0.7*VCC
输出电压特性：
低：0.1*VCC 高：0.9*VCC
常见系列：
74HC高速CMOS、74HCT兼容TTL的高速CMOS、74BCT双极型兼容TTL
（BiCMOS：将场效应管做前级、中间级；三极管做输出级）
CMOS与TTL比较：
①TTL是双极型电流控制器件，CMOS为单极性电压控制器件
②供电电压不一样，TTL常用5V供电，CMOS：5V、3.3V、2.4V、1.8V
③TTL抗干扰能力弱，噪声容限小，主要是因为CMOS逻辑电平范围宽，高电平阈值区间与低电平区间的距离大，抗干扰能力强；但CMOS器件输入阻抗大，容易捕捉干扰，噪声大。但CMOS输出阻抗低，在KΩ范围内；CMOS器件不用的输入引脚必须接地或者固定电平，（即注意静电防护）而TTL器件引脚悬空默认高电平。
④TTL功耗大，CMOS功耗低，静态功耗几乎没有，电平切换才有大电流。
⑤TTL器件工作速度快，传输延时5~10ns；cmos传输延时25~50ns。
相互驱动分析
比较两者输入输出电平，很明显TTL不能直接驱动CMOS器件，而后者可直接驱动前者；所以TTL驱动CMOS需要在外围加上拉电阻，而且TTL的VCC接了电阻，高电平驱动能力很小。
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