SPEA 功率半导体测试仪- DOT800T简介
功率半导体器件是实现电能转换的核心器件,主要用途包括逆变、变频等,在家用电器、新能源汽车、工业制造、通讯等领域有着广泛的应用。小型化、集成化、大功率、低功耗是功率半导体的主要发展方向,这些趋势也对自动化测试设备提出了更高的要求。
SPEA长期深耕半导体测试行业,持续探索并突破核心检测技术,公司出品的DOT800T功率半导体测试仪在检测速度、精度、动态杂散电感等关键性能指标处于全球领先地位。
DOT800T 将一整套的功率测试解决方案整合到了单台设备之中,提供了在全范围功率应用中进行 ISO、AC、DC 测试所需的所有资源,从晶圆级到最终产品,均可轻松完成。
DOT800T 不但解决了传统硅电子器件的测试要求,也解决了氮化镓和氮化硅等新技术带来的测试要求,覆盖了这些产品的性能范围,包括最高电压和电流源,高频低电流测量等需求。
我们已经利用完整且精确的动态测试和静态测试以及隔离测试序列验证了该型产品在实际工作条件下的测试能力,能够充分检测确保各种器件的质量和可靠性。
所有这些,都集成在了一套高处理量、模块化且可配置的测试仪之中,这款测试仪专门针对批量生产环境中的测试需求而设计。
- 晶圆
能够对晶圆级的功率器件进行完整测试,改善良品率,降低成本,为下一步的制造工序做好准备
- KGD
能够对胶片框架中的单个芯片进行完整测试,验证已知合格芯片的性能
- 分立器件
能够对基于 Si / SiC / GaN 技术生产的各种分立器件进行完整测试
- IPM
能够对智能功率模块的 IGBT 和驱动器组件进行完整测试
- DBC
能够在模块装配之前对直接粘合的铜质基板进行完整的测试
IGBT
能够对已封装的 IGBT 模块进行实际工作条件下的完整测试
一套测试仪最多可匹配6个测试站
DOT800T 基于多核心架构:测试仪可配备一个到六个独立且可配置的测试核心,来在不同的专门测试站上执行 ISO 测试、AC 测试和 DC 测试,每一个测试站都配备有专用独立控制器。有了这一套系统,您获得的将是六台强大测试仪的测试能力和出色性能。
可根据具体的要求和操作流程,将测试仪不同的核心指定用作 AC、DC 或 ISO 测试站。可在现场对测试仪的配置进行扩展和升级,满足不同器件测试对测试仪的要求。
不同的测试程序可在真正的并行异步模式下进行,每个测试核心的控制器都能够管理相应的测试资源、仪器连接和测试程序执行。
更强大的功率测试
DOT800T 配备了一整套最先进的专用仪器来执行各种功率半导体测试,设计同于检测确保新一代宽带隙技术的性能和可靠性,支持高电压、高电流、高功率和高切换频率等各种严苛测试条件。
该测试仪能够同时在测试中供应高电压和高电流,同时仍可保证极为出色的电流灵敏度,其内置的数字化仪可确保在漏电和击穿测量中实现最佳的分辨率和精度。可利用本地设置存储来实现模块设置的更改,也可利用内嵌宏来生成各种斜坡和触发,这带来了测试时间短的优点。
可在模块之间实现整系统内的硬件同步,可在高电压和高电流模块上实现嵌入警报(例如过温、过流、波动、开式温度等),这些都是实现测深仪在混合模式下的可靠和安全运行的基础。
测试资源
ISO测试资源
高达 12kV/10mA DC
高达 10kV/20mA AC
高电压安全开关(带输出矩阵)用于限制放电电流,确保测试仪在任何情况下都保证安全
AC测试资源
高达 6kV,高达3kA
电流短路测试,高达10kA
最多 8 个可独立编程的门驱动
2 – 8 个多脉冲
数字化仪的取样率可达10GS/s 取样率
DC测试资源
中等功率V/I 资源(±100V、±2A,最高可达16A),配备 8 台驱动和 8 个数字化仪,各自完全浮动和互相独立
高电压发生器发生能力高达20kV
高电流发生器可发生高达4kA 脉冲电流,配有自动斜坡发生器,可缩短测试时间
低杂散电感设计
对高功率、高频率期间的动态测试不仅要求测试仪器的良好性能,还要求测试仪的连接布局、插口和接触器等的设计必须谨慎且优秀,才能确保在整个信号路径中充分降低杂散电感, 从而最大程度上减小整流期间的电压超调问题。SPEA 能够提供完整的测试解决方案,一步式资源即可覆盖您测试功率器件的所有需求。
各接触单元均由 SPEA 研发制造,充分保证了易用性、高性能和低杂散电感等优点,适用于对行业标准和自动封装的各种器件进行环境温度下,以及双温度或三温度条件下的测试。
针对晶圆 KGD 和 IGBT 模块,SPEA 也提供有完整的测试设备,整合了机器人自动搬运处理,适用于直接集成到您的生产线之中。
便捷的操作系统
ATOS C2操作软件可提供编程、调试和测试执行所需的所有资源,并具有可用于生产模式的一整套工具,为用户带来了最佳可用性。
测试程序生成和调试仅需不到 1 天
无代码开发,利用软件自带库即可完成编程开发
提供绘图功能,用于视觉对比所测器件不同部分的波形结果(例如单相、3 相、多级 MOSFET 和 IGBT 等)
自带数据获取记忆内存,用于对所有模块进行 V/I 监控
可编辑测试模型中的每一项参数
测试流程可‘随时按需’更改,无需重新编辑测试程序
使用方便,控制简单
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