SDRAM,DDR1,DDR2,DDR3,DDR4的区别及其特点

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SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：为同步动态随机存取内存，是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因为刷新（Refresh）是DRAM最重要的操作。SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。SDRAM亦可称为SDR SDRAM（Single Data Rate SDRAM），Single Data Rate为单倍数据传输率，即在一个周期内只能读写1次。
DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。别于SDR（Single Data Rate）单一周期内只能读写1次，DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。在核心频率不变的情况下，传输效率为SDR SDRAM的2倍。允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据。DDR内存Prefetch（数据读预取）为2bit。
DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍以上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较DDR2的1.8V更为省电。DDR3也新增ASR（Automatic Self-Refresh）、SRT（Self-Refresh Temperature）等两种功能，让内存在休眠时也能够随着温度变化去控制对内存颗粒的充电频率，以确保系统数据的完整性。吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4相比DDR3最大的区别有三点，16bit预取机制（DDR3为8bit），同样核心频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

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