内部结构和表示符号

参考：https://blog.csdn.net/weixin_63069480/article/details/125552621，https://www.bilibili.com/video/BV1N8411T77d/?p=9&spm_id_from=pageDriver&vd_source=00bd76f9d6dc090461cddd9f0deb2d51

工作过程原理

参考：http://www.eepw.com.cn/zhuanlan/268452.html
参考链接中写的个人感觉很不错。MOSFET的种类：按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为：耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，；增强型-对于N§沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。

当UGS增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称为反型层，如图7所示。这个反型层就构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称为开启电压UGS(th)/VT。UGS电压越大，形成的反层型越厚，导电沟道电阻越小。

下面是推挽输出的一个电路结构图

从上图中的导通和非导通状态分析：在栅极加低电压（电子较多），导致电子聚集，使得栅极氧化物的衬底附近中的电子被排斥，使得P型半导体的多数载流子空穴被吸引。实际设计中，这个栅极和衬底之间的绝缘层很薄，即使是1v电压也会有很强的电场，所以才会能够将相反电荷排斥走。
另一种理解，在物理学中，只有电子可以移动。所以，在栅极加低电压使得电子聚集。排斥附近的电子，而被排斥的电子有两个部分：一部分是N型衬底的电子，另一部分是P型半导体的电子。P型半导体中的电子被排斥后就出现了空穴，相当于正电荷。相当于两个P型半导体的源极和漏极多少载流子（空穴）连通。当源极和漏极施加电压，则导致电子的有规律移动，相当于电子在各个空穴中传递。
根据上面的理解，也可分析N沟道的MOS管工作过程。

N-MOS:栅极高通，低断；P-MOS栅极低通，高断

源极一直连接两个地方，一个衬底另一个就是栅极两边的与衬底极性相反性质的半导体介质，这样很容易形成寄生二极管

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