STM32F4–Flash读写操作

一般在代码调节参数时，比如在调PID的时候，如果每次改参数就重新烧写代码就十分的麻烦。我们可以利用stm32内部flash的读写功能，实现数据保存。

可以从数据手册中查找Flash内存地址

可以看到F4的主存储器基地址位0x0800 0000，有12个扇区，我们可以在头文件中宏定义这些扇区。

flash.h

#ifndef _flash_H
#define _flash_H#include "stm32f4xx.h"#define  TEST_ERROR    -1
#define  TEST_SUCCESS  0 #define DATA_FLASH_SAVE_NUM 2   //存储数据个数#define FLASH_SAVE_ADDR  ADDR_FLASH_SECTOR_4    //扇区有64kb的大小 一般寸几个数据已经足够
//FLASH 扇区的起始地址
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((u32)0x08000000)   //扇区0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((u32)0x08004000)   //扇区1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((u32)0x08008000)   //扇区2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((u32)0x0800C000)   //扇区3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((u32)0x08010000)   //扇区4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((u32)0x08020000)   //扇区5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((u32)0x08040000)   //扇区6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((u32)0x08060000)   //扇区7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((u32)0x08080000)   //扇区8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((u32)0x080A0000)   //扇区9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((u32)0x080C0000)   //扇区10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((u32)0x080E0000)   //扇区11起始地址,128 Kbytes  uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr);  void write_to_flash(void);
void read_from_flash(void);         void read_flash(uint16_t *FlashReadBuf);
int write_flash(uint16_t *FlashWriteBuf);#endif

flash.c

#include "flash.h"uint16_t write_data[DATA_FLASH_SAVE_NUM];
uint16_t read_data[DATA_FLASH_SAVE_NUM];//通过地址获取扇区位置
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10; return FLASH_Sector_11;
}//将数据写入内存 16位数据
int write_flash(uint16_t *FlashWriteBuf)
{uint32_t StartAddr;StartAddr = FLASH_SAVE_ADDR;FLASH_Unlock();    //解锁FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);if (FLASH_COMPLETE != FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(StartAddr),VoltageRange_2)) //擦除扇区内容{     return TEST_ERROR;}for (int i = 0; i < DATA_FLASH_SAVE_NUM; i++){if (FLASH_COMPLETE != FLASH_ProgramHalfWord(StartAddr, FlashWriteBuf[i]))   //写入16位数据{          return TEST_ERROR;}StartAddr += 2;    //16位数据偏移两个位置}FLASH_Lock(); //上锁return TEST_SUCCESS;
}//从内存读数据 16位数据
void read_flash(uint16_t *FlashReadBuf)
{uint32_t StartAddr = FLASH_SAVE_ADDR;for (int i = 0; i < DATA_FLASH_SAVE_NUM; i++){FlashReadBuf[i] = *(__IO uint16_t*)StartAddr;StartAddr += 2;}
}void write_to_flash(void)
{memset(write_data, 0, sizeof(write_data));/*//这里就可以写入一些参数 如kp、kiwrite_data[0] = kp;write_data[1] = ki;*/if(TEST_SUCCESS!=write_flash(write_data))   return;  //写入错误}void read_from_flash(void)
{memset(read_data, 0, sizeof(read_data));read_flash(read_data);/*//这里读取数据kp = read_data[0];ki = read_data[1];*/
}

main.c

#include "stm32f4xx.h"
#include "delay.h"
#include "flash.h"int main(void)
{//...read_from_flash();    //这个函数必须在执行一次 write_to_flash() 后在加入这行，否则可能读取到内存一些不正常的数据//...while (1){//...write_to_flash();  //可在修改完参数后执行//...}
}
//每次重新启动32后，参数数据就是从内存读取的数据

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