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概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:HiPerFET™

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 500mA, 10V

漏极至源极电压(Vdss):500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:66A

Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 8mA

闸电荷(Qg) @ Vgs:200nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :8400pF @ 25V

功率 - 最大:735W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-264AA

包装:管件

供应商设备封装:*

特性

暂无IXFK66N50Q2的特性信息

参数

暂无IXFK66N50Q2的参数信息

引脚图与功能

暂无IXFK66N50Q2的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IXFK66N50Q2的工作原理信息

替代产品

暂无IXFK66N50Q2的替代产品信息

PDF资料

暂无IXFK66N50Q2的PDF资料信息

供应商

数量

厂商

批号

封装

交易说明

仓库

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