近年来CIS发展成为增量市场，国产CIS厂商也踊跃布局，给业界带来许多惊喜。思特威（上海）电子科技股份有限公司（SmartSens）正是国产CIS中亮眼的一家厂商。数据显示，2020年思特威安防监控市场的CIS芯片出货量为1.46亿颗，继续位居全球出货量TOP1的位置；同年，思特威的新兴领域全局快门CIS出货量达2.5千万颗，同样是该领域出货量TOP1；仅2021年里，思特威已发布及量产24颗新品。

2021年ASPENCORE全球双峰会的现场，思特威创始人兼董事长兼首席执行官徐辰博士（Dr. Richard Xu）分享题为《CMOS图像传感器赋能全场景智能视频应用》的主题演讲，下面对演讲内容进行小结，然后对演讲提及的技术进行介绍。

全球CIS市场蓬勃发展，应用领域日益丰富

智能手机、安防监控、车载电子、机器视觉……CMOS图像传感器的应用领域日益丰富，市场增长势头强劲。据最新Yole数据显示，受益于图像传感器应用在安防监控、机器视觉等新兴领域的爆发式增长以及在手机多摄像头方面的平稳增势，预计到2025年，全球CIS出货量将会达到100亿颗，整个市场销售额也将达到300亿美金的规模。

2021年里，思特威已发布及量产24颗新品就布局了四大应用场景：

根据演讲介绍，为了获得安防应用的高成像品质，思特威采用了多项技术：

今年10月，国家大基金二期公开投资项目已有12个，其中就包含思特威；同月思特威IPO首发过会，有望步入下一个新的发展阶段。

思特威技术介绍

一、SFCPixel

该技术是将SF放置到PD中央的位置，使其更加接近FD，通过缩短源跟踪器(SF)和光电二极管(PD)之间的距离，获得更高的电压，实现更高的灵敏度和更好的夜视成像表现。

二、PixGain

在相对比较亮的场景下，实现在高增益和低增益之间自由切换，以达到可以针对不同的光线场景进行切换。显然是我们熟悉的dual gain技术，实现方式上与其他厂商有区别，但原理应该是一致的。详情可见

HDR 成像技术学习（二）

三、DSI-2

这方面技术细节查找到的资料不多，从公开的报道来看，DSI-2的工艺是与晶圆厂一起合作的工艺，进一步减薄内介电层厚度，金属层轻薄化，全面提升DSI产品的感度，降低功耗；同时搭配Color工艺的全面优化，Microlens采用新工艺，Color Filter使用业界顶尖材料。

Sensor 结构——前照、背照、堆栈

根据思特威公开的材料显示，DSI技术提升如下

四、NIR+

该类技术最早由安森美提出，开发的NIR+近红外增强技术，在不牺牲可见光波段色彩保真度的前提下，大幅提高了传感器在近红外波段的量子效率（QE）。利用该技术，安防摄像头可以在更低的电压下，采用更少的红外LED辅助照明，在低照度和近红外波段获得高品质的成像。

NIR 用于在可见光光谱范围之外的物体或场景照明，并使摄像头能够在超出人类视觉能力的低光或无光情况下“看到”。虽然在某些应用中低级别 LED 仍需增加 NIR，但 NIR 需要的电能非常少且几乎不会干扰用户。在如 AR/VR 或驾驶监控系统等应用中，NIR 的这些特点对于精确地眼动追踪和手势控制是非常重要的。而在安全摄像头应用的案例中，NIR 可在入侵者不知情的情况下监控他们。

此外，NIR 在夜视条件下比可见光产生更多光子，该特点使其成为夜视应用的理想选择。

当在不可见条件下中使用 NIR 时，NIR 的波长就会增加。其结果就是硅的 QE 就会减弱，而晶体中光子的转化效率就会降低。因此要想产生相同数量的光子，就需要更厚的硅。所以，传统增加 QE 的方法就是使用厚硅。与薄硅相比，使用厚硅可增加光子吸收的机会，提供更高 QE 并增强信号强度。

在单像元探测器的案例中，使用厚硅可提高 NIR 的 QE 到 90%以上。然而，如果该应用要求更小像元而持续增加硅厚度，当硅的厚度增加到 100 μm 时，就会导致光子跳到邻近像元中，产生串扰，这样反而会减少 MTF。结果就是，虽然图像传感器对 NIR 照明更敏感，但其分辨率却更低，所形成的图像明亮却模糊。

解决此问题的一种方法是，使用深槽隔离（DTI）技术，在像素间建立阻挡层。

CMOS图像传感器 —— ISOCELL

如上图所示，根据公开报道显示，思特威同样采用了该技术。

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