ARM 之 STM32F407zgt6 外设篇 ----------- FLASH 存储部分数据

一、关于STM32F407 的FLASH

根据掉电数据是否丢失存储器可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

可以知道SRAM属于RAM,掉电后数据丢失；FLASH和EEPROM属于ROM，掉电后数据不丢失。

FLASH和EEPROM的区别在于：Flash存储器：擦除次数10万次左右，最小擦写单位通常为一个sector。

EEPROM存储器：擦除次数100万次左右，最小擦写单位为一个字节。

1.芯片自带内存：

①高达1 MB Flash：地址从0x8000000开始，大小为：0x100000即1M

②高达 192+4 KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据 RAM

I、普通内存：地址从0x20000000开始，大小为：0x20000即128k

这部分内存任何外设都可以访问

II、CCM内存：地址从0x10000000开始，大小为：0x10000即64k

这部分内存仅 CPU 可以访问，DMA 之类的不可以直接访问

III、备份 SRAM：大小为：4 K

2.IIC实验里介绍MCU与24C02通过IIC实现通讯，24C02是一款EEPROM芯片，总容量256字节。

3.SPI实验里介绍MCU与W25Q128通过SPI实现通讯，W25Q128是一块外部FLASH，容量128Mb，也就是16M字节。

4.外部SRAM实验里介绍了IS62WV51216，容量1M字节。

注：在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据。

FLASH 的写入：

FLASH的读取：

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