前言

存储芯片生态包含设计环节和制造封装环节还有品牌营销环节。设计环节是核心技术，包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存(DRAM)芯片。

固态硬盘的缓存一般都是由一到两颗DRAM颗粒（就是内存颗粒）作为缓存使用。
本文从缓存芯片视角，介绍存储国产化的进展。后续文章会再从其他视角介绍。

本文以固态硬盘方向分享国产DRAM芯片技术。

1. SSD 缓存作用

缓存(DRAM)主要是用来储存FTL缓存映射表，这个映射表表达了闪存单元物理地址同文件系统逻辑地址之间的关系。

有没有缓存的固态硬盘顺序速写的性能差距不大，但是有缓存的情况下4k读写的速度会好上不少。

2. 内存技术

2.1 内存存储数据

内存主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。

缓存的每一位存储单元采用一个晶体管和小电容来实现。

若写入位为“1”，则电容被充电，
若写入位为“0”，则电容不被充电。

读出时用晶体管来读与之相连的电容的电荷状态。

若电容被充电，则该位为“1”;
若电容没有被充电，则该位为“O”。
　　
由于电容存在漏电阻，因此每个位单元都必须不断地、周期性地对进行充电，以维持原来的数据不丢失，此行为称之为刷新。
如果掉电，内存数据会丢失。

2.2 内存技术前沿

2.2.1 先进DDR5 内存技术

内存目前产品标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。DDR已迭代至DDR5。

2.2.2 专利壁垒

现在全球内存市场基本上被国外主流三大厂商把控，而关于内存上的相关技术专利也是这三大厂商阻碍国产内存崛起的利器，如果我们想在内存上获得成功，那就必须绕开三大厂商的专利，而要想绕开这三座大山谈何容易，而这也是短时间内在国产内存难以获得突破的重要原因。

2.2.3 先进制程

目前在内存先进制程技术上，三星采用14nm技术，国产DRAM存储目前还是用19nm技术。相比国外等一线DRAM厂商的技术要落后3年时间。

引用：[中国内存技术历程及发展战略规划报告]

2.2.4 良率

中国芯片制造商的良率也很低。 10nm 级（1x 或 18 纳米至 19 纳米）内存的良率仍在 75% 左右挣扎。二代内存的良率也在 40% 左右。

总结

国产内存和先进技术比，还有不小的差距。

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内存(DRAM)芯片国产进程

目录

前言

1. SSD 缓存作用

2. 内存技术

2.1 内存存储数据

2.2 内存技术前沿

2.2.1 先进DDR5 内存技术

2.2.2 专利壁垒

2.2.3 先进制程

2.2.4 良率

总结

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1. SSD 缓存作用

2. 内存技术

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2.2 内存 技术前沿

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2.2.2 专利壁垒

2.2.3 先进制程

2.2.4 良率

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