IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6

编辑：ll

型号：IPB60R950C6

品牌：Infineon(英飞凌)

封装：TO-263

最大漏源电流：12A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.95Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

IIPB60R950C6场效应管

IPB60R950C6的电性参数：最大漏源电流12A；漏源击穿电压600V

IPB60R950C6应用：

PC Silverbox、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS。

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