概要

基于Windows 98/Me、Windows NT 4、Windows 2000和Windows XP的图形用户界面

快速并能有效使用内存的有限积分(FI)算法

由于理想边界拟合技术和薄片技术的采用,性能更加卓越

结构建模

基于先进ACIS内核的参量化实体建模前端,并附带优异的结构可视化功能。

内含多种建模技术,可快速进行结构变换。

可通过SAT(如AutoCAD)、IGES、STEP、ProE、CATIA 4、CoventorWare或STL格式文件导入3D CAD数据。

可通过DXF、GDSII和Gerber RS274X、RS274D格式的文件导入2D CAD数据。

可导入Agilent ADS的布线(layout)。

可导入Sonnet em的模型(8.5x)。

可导入可视化人体模型数据集或其他voxel数据集。

可通过SAT、IGES、STEP、STL、DXF、DRC或POV格式的文件导出CAD数据。

可对导入的CAD结构进行事后参量化。

材料数据库。

简化问题的结构模板。

瞬态求解器

能有效计算无耗及有耗结构。

对时域信号采用离散傅里叶变换(DFT),可以一次计算得到整个宽频带 的S参量。

可一次仿真就得到整个时域或多个选定频率的场分布。

用于快速仿真复杂结构的多级子网。

3D自适应网格加密。

对瞬态求解器,在一台PC上可支持32个CPU的并行计算。

支持各向同性和各向异性的材料。

支持色散材料。

支持旋磁材料(如磁化的铁氧体)。

良导体的表面阻抗模型。

2D本征模求解器计算端口模式。

对支持TEM波的多导体传输结构可定义多芯端口。

多端口多模式激励(分别或同时)。

平面波激励(线极化、圆极化或椭圆极化)。

对许多结构可选择S参量的对称性以减少求解时间。

采用自回溯滤波器来处理强谐振结构。

通过指定端口阻抗来处理强谐振结构。

通过指定端口阻抗实现重归一化S参量。

S参量的相位去嵌入(Phase De-embedding)。

去嵌入功能以得到高精度的S参量。

高性能的辐射/吸收边界条件。

非理想导体边界条件。

零相移周期性边界条件。

时域和频域中各种电磁场量的计算,如:电场、磁场、表面电流、功率流、电流密度、功耗密度、电能密度、磁能密度、电压等。

有或无远场近似下的天线远场计算(包括增益、主瓣方向、旁瓣抑制度等)。可测定特定角度宽带远场数据的远场探针。

天线阵列的远场计算。

RCS(雷达反射截面)计算。

计算SAR(电磁热沉积)分布。

以离散元件(集总参数电阻)为端口。

用于EMC(电磁兼容)类问题的理想电压源和电流源。

可在结构中任何位置定义集总参数的R、L、C和(非线性)二极管元件。

用于TDR(时域反射)分析的矩形激励函数。

用户自定义激励信号和激励信号库。

不同的端口同时采用不同的激励信号进行并行激励仿真。

可对任意拓扑结构自动提取SPICE网络模型。

使用内建的参量扫描工具自动进行参量扫描。

使用内建的优化器对任意目标自动进行结构优化。

在进行优化、参量扫描和多端口/多模式激励时,可使用分布式网络计算。

频域求解器

能有效计算无耗及有耗结构,包括有耗波导端口。

支持各向同性和各向异性的材料。

支持色散材料。

自动快速宽带自适应扫频。

用户自定义扫频模式。

3D自适应网格加密。

采用收敛加速技术的直接法和迭代法求解器。

2D本征模求解器来计算端口模式。

通过指定端口阻抗实现归一化S参量。

S参量的相位去嵌入。

高性能的辐射/吸收边界条件。

非零相移或扫描角的周期性边界条件。

Floquet模式端口(周期性波导端口)。

各种电磁场量的计算,如:电场、磁场、表面电流、功率流、电流密度、功耗密度、电能密度、磁能密度。

有或无远场近似下的天线远场计算(包括增益、主瓣方向、旁瓣抑制度等)。

天线阵列的远场计算。

RCS计算。

计算SAR分布。

以离散元件(集总参数电阻)为端口。

可在结构中任何位置定义集总参数的R、L、C元件。

自动提取级联的SPICE(R,L,C,G)网络模型。运行SPICE便可校验结果。

使用内建的参量扫描工具自动进行参量扫描。

使用内建的优化器对任意目标自动进行结构优化。

在进行优化和参量扫描时,可使用分布式网络计算。

本征模求解器

计算封闭、无耗或有耗结构的模式场分布。

支持各向同性和各向异性的材料。

在一台PC上可支持两个CPU的并行计算。

3D自适应网格加密。

非零相移的周期性边界条件。

计算每个模式的损耗和Q值(采用直接法或微扰法)。

使用内建的参量扫描工具自动进行参量扫描。

使用内建的优化器对任意目标自动进行结构优化。

在进行优化和参量扫描时,可使用分布式网络计算。

模式分析求解器

使用本征模求解器求得的模式场分布来计算宽带S参量。

支持各向同性和各向异性材料。

在一台PC上可支持两个CPU的并行计算。

通过指定端口阻抗实现重归一化S参量。

S参量的相位去嵌入。

计算每个模式的损耗和Q值。(微扰法)

自动提取级联的SPICE(R,L,C,G)网络模型。运行SPICE便可校验结果。

使用内建的参量扫描工具自动进行参量扫描。

使用内建的优化器对任意目标自动进行结构优化。

在进行优化和参量扫描时,可使用分布式网络计算。

结果显示及导出结果的计算

端口模式显示(包括传播常数,阻抗等等)。

直角坐标显示S参量(线性或对数刻度)。

史密斯圆图(Smith chart)和极坐标显示S参量。

动态显示仿真状态及其结果。

可将外部二维XY数据导入并显示。

可拷贝/粘贴二维XY数据集。

各种2D和3D显示方式(电场、磁场、功率流、表面电流等)。

动态显示场分布。

2D直角坐标或极坐标和3D散射或辐射远处显示(场图、增益、方向性系数、RCS)。

沿任意空间曲线对2D和3D场求解线积分并显示结果。

依任意曲面对3D场求解面积分。

将不同端口激励的结果合并。

从仿真得到的原始结果中通过模板导出用户指定的各类二级结果。此结果可用于优化目标的定义。

导出结果

以TOUCHSTONE文件格式导出S参量。

以ASCII文件格式导出场、曲线等结果。

可导出结果场图的屏幕拷贝。

自动操作

包括编辑器和调试器,功能强大并兼容VBA(visual basic for application)的宏语言。

通过OLE的自动操作可与Windows环境(如Microsoft office,MATLAB,AutoCAD,mathCAD,Windows scripting host等)无缝集成。

——《CST微波工作室用户全书(卷一&卷二)》

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