一．DS1302的主要性能指标
（1）DS1302实时时钟具有能计算2100年之前的秒、分、时、日、日期、星期、月、年的能力，还有闰年调整的能力。
（2）内部含有31个字节静态RAM，可提供用户访问。
（3）采用串行数据传送方式，使得管脚数量最少，简单SPI 3线接口。
（4）工作电压范围宽：2.0～5.5V。
（5）工作电流：2.0V时，小于300nA。
（6）时钟或RAM数据的读/写有两种传送方式：单字节传送和多字节传送方式。
（7）采用8脚DIP封装或SOIC封装。
（8）与TTL兼容，Vcc=5V。
（9）可选工业级温度范围：-40?C～+85?C。
（10）具有涓流充电能力。（可能是冲到电容里吧）
（11）采用主电源和备份电源双电源供应。
（12）备份电源可由电池或大容量电容实现。(一个时钟总不能一拔电时钟就走吧)
采用SPI总线接口：（速度比较快，当然是相对于IIC总线来说的，常规的是有四线）
SPI接口是以主从方式工作的,这种模式通常有一个主器件和一个或多个从器件,其接口包括以下四种信号：
（1）MOSI – 主器件数据输出,从器件数据输入（2）MISO – 主器件数据输入,从器件数据输出
（3）SCLK – 时钟信号,由主器件产生（4）CS – 从器件使能信号,由主器件控制
说说SPI总线的缺点：
最后,SPI接口的一个缺点：没有指定的流控制,没有应答机制确认是否接收到数据。

DS1302的引脚：
主要是靠SPI三线控制（把数据输入输出合成一根线，还有SCLK(串行时钟输入)，RST（CS）使能信号）

DS1302的寄存器及片内RAM:
.控制寄存器：
在RST回到高电平后写入命令

D7：固定为1
D6：RAM/CK位，=1片内RAM，=0日历、时钟寄存器选择位。
D5~D1：地址位，用于选择进行读写的日历、时钟寄存器或片内RAM。对日历、时钟寄存器或片内RAM的选择见表。
D0： 读写选择，=0写，=1读

.日历，时钟寄存器
DS1302共有12个寄存器，其中有7个与日历、时钟相关，存放的数据为BCD码形式。日历、时钟寄存器的格式如表。
说明：
（1）数据都以BCD码形式。
（2）小时寄存器的D7位为12小时制/24小时制的选择位，当为1时选12小时制，
当为0时选24小时制。当12小时制时，D5位为1是上午，D5位为0是下午，D4为小时的十位。
当24小时制时，D5、D4位为小时的十位。
（3）秒寄存器中的CH位为时钟暂停位，当为1时钟暂停，为0时钟开始启动。
4）写保护寄存器中的WP为写保护位，当WP=1，写保护，当WP=0未写保护，
当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行写时WP应清零，当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行读时WP一般置1。
（5）慢充电寄存器的TCS位为控制慢充电的选择，当它为1010才能使慢充电工作。
DS为二极管选择位。DS为01选择一个二极管，DS为10选择二个二极管，
DS为11或00充电器被禁止，与TCS无关。RS用于选择连接在VCC2与VCC1之间的电阻，
RS为00，充电器被禁止，与TCS无关，电阻选择情况见表.

在控制指令字输入后的下一个SCLK时钟的上升沿时，数据被写入DS1302，数据输入从低位即位0开始。
同样，在紧跟8位的控制指令字后的下一个SCLK脉冲的下降沿读出DS1302的数据，读出数据时从低位0位到高位7

编写初始化函数时，注意关闭写保护，之后打开写保护