探测器反向偏压_Y5T60 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压

咱们光模块的硬件设计里，有两个雷同的问题，很多人在后台问过，其实在写这些篇章的时候，陆陆续续的都解释过。今天把两句话摘出来，单写

探测器为何加“反向偏压”？
电吸收调制器，为何加“负电压”？

这俩问题，合并起来就是一个问题，

探测器的结构是PIN，作用是吸收光子，产生电流。咱们看中的是产生的电流量

PIN的I是本征层，可以看做是PN结的延长体，把P和N之间拉长，不是PN结，而是“P N”结，延长的那些区域，是让材料更多的吸收光，产生自由电子。

电吸收调制器也是个PIN型，加电压则吸收光子(顺道也产生自由电子)，不加电压则不吸收。粗浅的理解，电吸收调制器的吸收态就是一个探测器。

探测器的反向偏压，就是N级接光模块的3.3V，P级接GND。结果就是“N的电压比P高”

电吸收调制器的负电压，N接GND，P接负电压，结果也是，N的电压比P高

合并后的问题，就是在吸收光子的状态下，为什么PN结要反向偏置？

一个P型半导体，和一个N型半导体，就是PN结，中间加一层本征层，就是P----N结，正向偏压，直接就能导通，(Y2T44 半导体材料、P型N型半导体与PN结，T291 首次动图，PN结V2.0、p型半导体、n型半导体)

所以合在一起，二极管的图标就告诉咱们，它的特点是正向导通反向截止

有些材料，吸收光的能量，破坏了电子空穴对的键合，材料里就蹦出来自由电子，叫光电效应，是电吸收调制器和接收端探测器都用到的一个物理现象。(电吸收调制器会更复杂一些，基本原理没动)

对用了特殊材料的PN结，能吸收光的能量，产生自由电子。

如果正向导通，好么，你自己先产生了一万亿个流动的自由电子们(正向导通)，那有光照在PN材料上，也产生了几颗电子，嗯呐，你要在几万亿个自由电子里输出来新增的几颗“光生载流子”，呵呵，肯定能检测出来，只是检测的代价得多大，请自行估算。

如果反向截止状态，咱PN结只有几颗散兵游勇的自由电子(反向漏电流)，那有光照在PN结上，还是产生了一些自由电子，好么，点兵点将，就知道有多少是“光”生出来的“载流子”，好计算。反向漏电流，在光模块探测器行业，俗称“暗电流”，没光&反向偏压下的漏电流。

所以，为了计算光生载流子更方便，通常光电二极管用“反向偏压”。

延伸的一个问题，一个光电二极管，我既不用正向偏压，也不用反向偏压，能行吗？

能

那就是太阳能电池的原理

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