华大单片机HC32L136X单片机flash数据读写操作使用

此款单片机是由有64K的字节flash，一共有128页，一页有512字节，以下是容量划分：

这里使用的是字节位宽的数据读写操作进行演示，其他2种方式大同小异，需要用到自己去研究，首先需要添加对应的flash库文件，然后进行flash操作的初始化工作

while(Flash_Init(12,TRUE) != 0);    //Flash初始化
printf("System Init is OK\r\n");
printf("System to Runing\r\n");

我这边给他做了读写封装函数，方便程序的调用

#include "main.h"extern void Write_EEPROM_OneBitData(uint32_t Addr,uint8_t Dat);
extern void Write_EEPROM_StrData(uint32_t Addr,uint16_t Len,uint8_t *Dat);
extern uint8_t Read_EEPROM_Data(uint32_t Addr);EEPROM_t EEPROM =
{Write_EEPROM_OneBitData,Write_EEPROM_StrData,Read_EEPROM_Data
};static void Write_EEPROM_OneBitData(uint32_t Addr,uint8_t Dat)
{while(Flash_SectorErase(Addr) != 0);Flash_WriteByte(Addr,Dat);
}//EEPROM一个扇区(页)写N个字节操作,最多可写一页数据(512字节)
static void Write_EEPROM_StrData(uint32_t Addr,uint16_t Len,uint8_t *Dat)
{uint16_t i=0;while(Flash_SectorErase(Addr) != 0);for(i=0;i<Len;i++){Flash_WriteByte(Addr+i,*Dat++);}
}//EEPROM读一个字节操作
static uint8_t Read_EEPROM_Data(uint32_t Addr)
{uint8_t Dat=0;Dat = *((volatile uint8_t*)Addr);return Dat;
}

他的操作和其他单片机的操作都是大同小异，主要就是确定好写入的地址，要先擦除后写入，读取数据什么时候都可以

//flash页，一共有128个页，一个页区是512字节，此为flash区保存数据
//此款型号没有EEPROM功能，只有flash读写操作，从flash的最后一页开始使用往上推，一个页是512字节
typedef enum
{EEPROM_ADDR0 = (uint32_t)0xFE00,    //页0，0xFE00-0xFFFFEEPROM_ADDR1 = (uint32_t)0xFC00,        //页1，0xFC00-0xFDFFEEPROM_ADDR2 = (uint32_t)0xFA00,      //页2，0xFA00-0xFBFFEEPROM_ADDR3 = (uint32_t)0xF800           //页3，0xF800-0xF9FF
}EEPROM_ADDR_t;

从他的做后一页（127页）开始操作flash数据操作，这样可以防止应用程序覆盖保存的数据，还有就是地址一定要对，这样读写操作才正常，以下写入数据操作

EEPROM.Write_EEPROM_StrData(EEPROM_ADDR0,Flash_Data_Len,Flash_Buff);
EEPROM.Write_EEPROM_OneBitData(EEPROM_ADDR1+RX_SaveBaud,0x01);

读取数据操作

Flag_Num = EEPROM.Read_EEPROM_Data(EEPROM_ADDR0+Flash_ZFlag);
printf("Flag_Num:%d\r\n",Flag_Num);

虽然是简单的读写flash操作，但是还是很多不知道怎么写程序，希望能够帮助到你！！！

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