本文章将讲述这款芯片的特征、性能、参数、应用电路、以及使用时的注意事项。小白总结，如有错误，请大神指教。

一、TPS5430DDAR的特征

1.宽输入电压范围：5.5V----36V(宽电压就是电路对电压的高适应性)。可调至1.22V,1.5%初始精度

2.3A连续（4A峰值）输出电流。

3.效率高达95%，由110mΩ提供集成MOSFET开关

4.内部补偿使外部部件最小化数。（补偿的目的一般是因为器件随温度环境的变化，工作点，性能会产生漂移，这种情况往往需要使用温度特性相反的电容、电阻进行补偿，以便抵消漂移。芯片内部补偿集成了补偿器件，使用起来方便一些，不用自己加电路了）

5.固定500khz开关频率为小过滤器的大小（500kHz开关频率允许更少的输出电感，同样的输出纹波要求导致更小的输出电感）

6.系统保护过流限制，过压保护和热关机机制

二、TPS5430DDAR的性能与参数

1.封装：HSOP(带散热片的小尺寸封装，这种封装有一个机械附着厚铜热段，以提高热性能。外露的热段为热传导提供了一个直接的路径）。

2.引脚的配置与功能：

BOOT:高侧场效应管晶体管栅极驱动器的升压电容器。从BOOT引脚到PH引脚连接0.01uf低ESR电容。（ESR:理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗等各种原因导致电容变得不完美。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串联在一起，所以就起了个名字叫“等效串联电阻”，在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现）（电容推荐使用X7R或X5R级电介质，因为它们的温度稳定）

NC：空脚。

VSENSE:调节器的反馈电压。连接到输出分压器。

ENA:开/关控制。低于0.5V,设备停止转换，管脚浮空，来使芯片使能。

GND:接地。

VIN:输入电源电压。VIN引脚到GND引脚，去靠近器件封装的高质量，低ESR陶瓷电容。

PH:高侧功率MOSFET的来源，连接外部电感和二极管。

3.绝对最大额定参数

（1）VIN的范围：-0.3V-----40V(接近VIN引脚的绝对最大额定值可能导致PH引脚上的电压超过绝对最大额定值）。

（2）PH（不变的）：-0.6V-------40V。PH（瞬态<10ns）：-4V

（3）ENA:-0.3V----7V

（4）BOOT--PH:-0.3V------10V

（5）VSENSE:-0.3V-----3V（在稳态运行时，VSENSE引脚电压应等于参考电压1.221V）

（6）PH（泄漏电流）:10uA

（7）操作虚拟接口温度范围：-40℃-----150℃

（8）储存温度范围：-65℃-----150℃

（9）工作结温：-40℃-----125℃

（10）本设计使用15uH电感，这被最小的输出电容限制

计算得到的最小电容值为34 μF。对于该电路，电容值越大，瞬态响应越好。C3使用单个100 μF输出电容。需要注意的是，陶瓷电容器的实际电容随外加电压而减小。

（11）外部补偿网络：当使用陶瓷输出电容时，需要额外的电路来稳定闭环系统。该电路的外部元件为R3、C4、C6和C7。要确定这些元件的值，首先计算出输出滤波器的LC谐振频率

对于输入纹波电压和最大纹波电流可近似成

（12）电感的最小值

（13）电感电流的有效值可由

（14）电感器的峰值电流

（15）闭环交叉频率与LC角频之间存在着一定的相关性：

（16）输出滤波器所需要的输出电容值：

（17）最大的ESR:

（18）所选的输出电容的额定电压必须大于期望的输出电压加上纹波电压的一半。任何减额金额也必须包括在内。输出电容的最大有效值纹波电流：

（19）TPS5430的输出电压由一个电阻分压器(R1和R2)从输出到VSENSE引脚设置,计算输出电压为5v的R2电阻器值:

对于任何TPS5430设计，从R1值10 kΩ开始。R2是3.24 kΩ。

（20）对于任何给定的输入电压都有上下限输出电压限制。输出电压设定值的上限受最大占空比87%的约束，为

四、TPS54300DDAR的应用电路

简单的应用模板：

典型应用电路：12V的输入电压5V的输出电压

此电路：输入电压的范围：10.8V-----19.8V输出电压：5V

输入纹波电压：300mV输出纹波电压：30mV

输出电流额定值：3A

五、TPS54300DDAR的使用注意事项

1.接地引脚必须连接到外露的焊盘上才能正常操作。

2.超出绝对最大额定值可能会对设备造成永久性损害。

3.所有电压值都与网络接地端子有关。

六、名词解释

（1）前馈：从输入端把信号往输出端送。

（2）反馈：从输出端把信号往输入端送

TPS5430DDAR型号芯片的学习相关推荐

ME2159AM6G型号芯片的学习(推荐3.3V升压到5V)
目录一.ME2159AM6G的特征二.ME2159AM6G的性能和参数三.ME2159AM6G的应用电路四.ME2159AM6G使用注意事项本篇文章将讲述ME2159AM6G芯片的特征,性能 ...
STM32F103系列芯片原理学习以及LED灯的点亮
一.STM32F103系列芯片的地址映射和寄存器映射原理 1.寄存器寄存器是中央处理器内的组成部分.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和地址. 其实,寄存器就是存放东西的东 ...
基于51单片机的DS1302涓流充电计时芯片详细学习（时钟制作）
目录前言一.初学者需要了解DS1302的一些基本特性二.脉冲串模式数据传输 1.单字节写入 2.单字节读取 3.BCD码的转换三.理论存在实践开始(代码模块) 1.DS1302时钟模块原理图 ...
【芯片验证学习纪实】System Verilog语法（1）
[芯片验证学习纪实]System Verilog语法(1) 继学习了FPGA设计之后,学习IC验证也有一段时间了,学习过程中参考了很多互联网上的优秀资源,在此感谢各位前辈们的无私分享!现在,利用闲暇之 ...
stm32f103各个型号芯片之间程序移植（stm32的兼容问题）
stm32f103各个型号芯片之间程序移植(stm32的兼容问题) 1.stm32f103系列的各个型号的芯片差别一般不大,都是一些flash大小不一样,一般是向下兼容(大容量芯片兼容中容量芯片)还有 ...
《说透芯片》学习笔记 Day 3
系列文章目录这是本周期内系列打卡文章的所有文章的目录 <Go 并发数据结构和算法实践>学习笔记 Day 1_jahentao的博客-CSDN博客 <说透芯片>学习笔记 Day ...
甲基化芯片入门学习-基础知识（一）
基本概念梳理什么是DNA甲基化 DNA甲基化是表观遗传学的中最为常见的一种修饰,其主要形式包括:5-甲基胞嘧啶 (5-mC).少量的N6-甲基腺嘌呤 (N6-mA) 以及7-甲基鸟嘌呤(7-mG). ...
FPGA AD_TLC549 芯片开发学习笔记
AD_TLC549 芯片简介 TLC549是 TI公司生产的一种低价位.高性能的8位A/D转换器,它以8位开关电容逐次逼近的方法实现 A/D转换,其转换速度小于 17us,最大转换速率为 40000H ...
STM32F407 芯片的学习 day07 iic通信方式主芯片与 at24c02之间的通讯
IIC(Inter-Integrated Circuit)总线是一种由 PHILIPS 公司开发的两线式串行线,用于连接微控制器及其外围设备.它是由数据线 SDA 和时钟 SCL 构成的串行总线,可发 ...

TPS5430DDAR型号芯片的学习