今日接着给大家分享模拟版图入门学习笔(六),前几期的学习笔记如下:
集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记(一)
集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记(二)
集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记(三)
集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记(四)
集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记(五)
另外大家也可以直接下载完成的源文件:模拟ic版图设计资料
第四部分:版图设计艺术
3.匹配
3.5电阻

3.匹配
3.5电阻–叉指结构

3.匹配
3.6电容
3.6.1电容匹配


右图为一个电容中心版图的布局。一片容性组由比率为1:2:4:8:16的电容组成,右图的布局方法使全局误差被均化。

3.7匹配规则
1)把匹配器件相互靠近放置;
2)使器件保持同一个方向;
3)选择一个中间值作为你的根器件;
4)采用指状交叉方式;
5)用虚设器件包围起来;
6)四方交叉你的成对器件;
7)匹配你布线上的寄生参数
8)使每一样东西都很对称;
9)使差分布线一致;
10)使器件宽度一致;
11)总是与你的电路设计者交流;
12)注意邻近的器件;
4.寄生效应
4.1寄生的产生

1)两种材料之间会有寄生电容2)电流流过之处会有寄生电阻
3)高频电路导线具有寄生电感
4)器件自身也有寄生效应
5)影响电路的速度,改变频响特性
4.2寄生电容
1)金属与衬底之间的平板电容
最重要的寄生问题
通过衬底耦合到其它电路上
2)金属线之间的平板电容
3)金属线之间的边缘电容

4.2寄生电容
4)特定的工艺中,随着金属层次越高,最小宽度越大。M1离衬底最近,单位面积电容越大。M4走供电总线,M3用作二级供电,如下图所示M2的寄生电容最小。

4.2寄生电容
4.2.1减小寄生电容的方法

寄生电容=金属线宽X金属长度X单位面积电容
1)敏感信号线尽量短
2)选择高层金属走线
最高层金属,离衬底最远,单位面积电容最小
3)敏感信号彼此远离
4)不宜长距离一起走线
5)电路模块上尽量不要走线
6)绕开敏感节点





4.6闩锁效应

  1. Latch up是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线CND之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。
  2. Latchup最易产生在易受外部干扰的I/O电路处,也偶尔发生在内部电路。
    3.随着IC制造工艺的发展,封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大。
  3. Latchup产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏,Latchup的防范是ICLayout的最重要措施之一。
  4. Latchup的原理分析(二)
    **·**Q1为一垂直式PNPBJT,基极(base)是nwell,基极到集电极
    (collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面式的NPNBJT,基极为P substrate,到集电极的增益可达数十倍;Rwell是nwell的寄生
    电阻;Rsub是substrate电阻。
    **·**以上四元件构成可控硅(SCR)电路,当无外界干扰未引起触发时,两个BJT处于截止状态,集电极电流是C-B的反向漏电流构成,电流增益非常小,此时Latch up不会产生。
    **·**当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时,会反馈至另一个BJT,从而使两个BJT因触发而导通,VDD至GND间形成低抗通路,Latch up由此而产生。





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