什么是 DRAM？

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

工作原理

动态RAM 的工作原理 动态 RAM 也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

DRAM 数据线

3 管动态 RAM 的基本存储电路如图所示。在这个电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为“1”，所以 Q1 导通，要写入的数据通过 Q1 送到 Q2 的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管 Q4 使读数据线上的分布电容 CD 充电，当读选择线为高电平有效时，Q3 处于可导通的状态。若原来存有“1”，则 Q2 导通，读数据线的分布电容 CD 通过 Q3、Q2 放电，此时读得的信息为“0”，正好和原存信息相反；若原存信息为“0”，则 Q3 尽管具备导通条件，但因为 Q2 截止，所以，CD 上的电压保持不变，因而，读得的信息为“1”。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反，所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

什么是 NAND？

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过 4GB 的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND 被证明极具吸引力。NAND 闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

工作原理

闪存结合了 EPROM 的高密度和 EEPROM 结构的变通性的优点。

EPROM 是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式 MOS 电路，简称为 FAMOS。它与 MOS 电路相似，是在 N 型基片上生长出两个高浓度的 P 型区，通过欧姆接触分别引出源极 S 和漏极 D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存 1 或者 0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使 MOS 管导通，即表示存入 0. 若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS 管不导通，即存入 1。

EPROM 基本单元结构

EEPROM 基本存储单元电路的工作原理如图所示。与 EPROM 相似，它是在 EPROM 基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压 VG。若 VG 为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使 VG 为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

EEPROM 单元结构

闪存的基本单元电路与 EEPROM 类似，也是由双层浮空栅 MOS 管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与 EEPROM 相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与 EPROM 相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与漏极之间的隧道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，

NAND 闪存单元结构

NAND 闪存阵列分为一系列 128kB 的区块(block)，这些区块是NAND 器件中最小的可擦除实体。擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为 FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些 NOR 闪存能同时执行读写操作。虽然 NAND 不能同时执行读写操作，它可以采用称为“映射(shadowing)”的方法，在系统级实现这一点。这种方法在个人电脑上已经沿用多年，即将 BIOS 从速率较低的 ROM 加载到速率较高的 RAM 上。