三相H桥SVPWM算法介绍
我见过有SVPWM有用于单相H桥逆变的、三电平逆变器、多电平逆变器的。这里着重点用于三相H桥逆变器。他们不同之处在于,开关状态越多,空间矢量图越大。
1 算法介绍
下图是三相H逆变器拓扑结构
以下是直流无刷电机的简化逻辑结构。图中,由于控制电机的电路是三相H桥逆变电路,故用三位数字表达H桥的导通状态,分别表示a相、b相、c相。
总的来说,就是旋转的磁场可以引导转子旋转。要理解上图,推荐下载硬石STM32的开源资料。理解直流无刷电机之前,我觉得需要学习两相步进电机。
上面的三项H桥拓扑结构,调制方式主要分为SPWM和SVPWM。SVPWM英文名是space-vector pulse width modulation。空间矢量的概念,需要结合电机磁场的旋转来理解。我们需要合成一个稳定旋转的磁场,牵引转子的旋转。合成磁场的方向,和abc三相的电流导通模式有关,影响着电机转动的方向;而合成磁场的大小,和绕组中导通电流有关,会影响转动力矩。
2 算法的实现过程
2.1 坐标变换
2.1.1 alpha-beta坐标轴转换为abc
2.1.2 Abc坐标轴转换为alpha-beta
2.2 矢量合成
本逆变器的开关管只有6个,可以用8个空间矢量描述逆变器的开关状态。Vref为参考矢量,代表着定子绕组通电形成的合成磁场的大小和方向。Ts是采样周期。把8个空间矢量分别标号,V1为100,V2:110,V3:010,V4:011,V5:001,V6:101,V7:111,V0:000。
上图,可以进一步转化为下图的形式。参考矢量Vref可以当作是转子的旋转磁场。
上图称为逆变器的空间矢量图。
空间矢量图被空间矢量划分为6个扇区,分别命名为第I扇区、第II扇区、第III扇区、第IV扇区、第V扇区、第VI扇区。
顺时针旋转,参考矢量会分别经过第I扇区、第VI扇区、第V扇区、第IV扇区、第III扇区、第II扇区。
逆时针旋转,参考矢量会分别经过第I扇区、第II扇区、第III扇区、第IV扇区、第V扇区、第VI扇区。
当参考矢量旋转到第I扇区,可以用V1、V2、V7、V0四个空间矢量合成参考矢量,但是要先通过调整占空比,把矢量幅值缩小。
根据伏秒平衡,可得以下公式。
公式中,V1、V2、V0是用于合成参考矢量的作用矢量。T1、T2、T0分别是V1、V2、V0的作用时间。Ts是采样周期。
因为逆变器的状态只有8种,假如需要无限逼近参考矢量,则要用很高频率的PWM波。
2.2.1 时间计算-第I扇区
代入
可得
2.2.2 时间计算-第II扇区
2.2.3 时间计算-第III扇区
2.2.4 时间计算-第IV扇区
2.2.5 时间计算-第V扇区
2.2.6 时间计算-第VI扇区
2.3 发出PWM
上面介绍默认SVPWM使用三段式模式,在Ts采样周期内,首先V0作用T0时间,然后V1作用T1时间,最后V2作用T2时间。接下来是下一个Ts时间段。
V0->V1->V2
以下是五段式:
V0->V1->V2->V1->V0
以下是七段式:
V0->V1->V2->V7->V2->V1->V0
这种过渡,一方面可以减少低频谐波、降低滤波器的设计难度;另一方面,可以降低开关在切换过程中的电压变化。
下一步是在STM32中实现本算法……
开源了SVPWM算法,但是未测试验证过,硬件上手头只有STM32的最小系统板,就暂时没做实验了。
https://github.com/xxJian/STM32_Based_SVPWM
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