STM32F103 晶振问题详解

2024-06-21 03:58:14

博主自制开发板，用的 STM32F103RCT6，设计时 8M 晶振并联了个 1M 电阻，实测发现：

1、软件延时 1s ，实际延时 9s，拆掉 1M 电阻问题消失。
2、部分代码下载进去后单片机不工作。（实测晶振不起振 or 波形很差）

网上说加这个 1M 电阻是为了晶振更好的起振，但如果芯片内部本来就有并联电阻，则这个 1M 电阻加不加都行。

根因：博主买错元器件了，买成 1mΩ，不是 1MΩ，毫欧姆和兆欧姆差别还是很大的。

note：看着这个电阻很奇怪，写的 R001 ，用万用表量，切到最低挡位，显示小数；正常 1MΩ 贴片电阻显示的应该是 105。

推荐文章：https://blog.csdn.net/weixin_44392735/article/details/126303501

博主去查了 STM32 手册

high-speed external (HSE)

也就是说，STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE 这几个系列的外部 8 M 晶振，其实是可以不需要在外面并联电阻的，IC 内部有 Rf。

low-speed external (LSE)

顺便看一下 32.768K 晶振的规格，32.768K 晶振是给 RTC 用的，如果不需要可以不加；8M 则是 STM32 的主 clock，一般都要加：

IC 内部也是有 Rf 的，因此实际上并不需要外部并联电阻。

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