multisim怎么设置晶体管rbe_multisim中三极管参数
Is=14.34f
反向饱和电流。
Xti=3
饱和电流的温度指数
Eg=1.11
硅的带隙能量
Vaf=74.03
正向欧拉电压
1
Bf=255.9
正向电流放大系数
Ne=1.307
B--E
极间的泄漏饱和发射系数
+
Ise=14.34f
B--E
极间的泄漏饱和电流
Ikf=.2847
正向
BET
A
大电流时的滑动拐点
Xtb=1.5
电流放大系数的温度系数
Br=6.092
理想反向电流放大系数
Nc=2
B--C
间的泄漏发射系数
Isc=0
Ikr=0
反向
BETA
(
R
)大电流时的滑动拐点
Rc=1
集电极电阻
+
Cjc=7.306p
B-E
结零偏压时的耗尽电容。
Mjc=.3416
B-C
结指数因子
Vjc=.75
B-C
结内建电势
Fc=.5
正向偏压时的耗尽电容系数
Cje=22.01p
B-E
结零偏压时的耗尽电容
Mje=.377
B
——
E
结指数因子
Vje=.75
B-E
结内建电势
+
Tr=46.91n
反向渡越时间
Tf=411.1p
正向渡越时间
Itf=.6
正向渡越时间随
VBE
变化的参数
Vtf=1.7
Xtf=3 Rb=10)
正向渡越时间随偏置变化的参数
1,
什么是欧拉电压
(early voltage)?
三极管的
Ic-Vbe
图、
MOS
管的
Id-Vgs
图中，曲线的反向延长线都会交于一点，此点被称为
early voltage
。
Early voltage
是一个重要参数
"Early voltage"
符号
VA
，
在三极管放大区中，
理想情况下
vce
的
变化是不会引起
ic
的变化的，
但实际上
vce
变化会引起
ic
的变化，
那么
ic-vce
就不是一条直
线，而是一条斜线，这也是导致了
β
值不是固定值，
ic-vce
曲线在放大区斜率的倒数，就是
我们在小信号分析中考虑到的
ro
，
理想情况下公式
:
ic=Is*exp(vbe/VT)
考虑到
VA
的修正公式：
ic=Is*exp(vbe/VT)*(1+vce/VA)
ro
是
vce
对
ic
的求导，即
ic-vce
在放大区的斜率的倒数，得到
ro
≈
VA/Ic
VA
越大，
ro
越大，
ic-vce
越接近理想水平线。
但反向延长线是否交于一点呢？是否有理论依据？
"We
observe
that
the
characteristic
curves,
though
still
straight
lines,
have
finite
slope.In
fact,
when extrapolated, the characteristic lines meet at a point on the negative vce axis, at vce=-VA. It
is called the Early voltage, after the scientist who first studied this phenomenon.
...
The linear dependence of
ic on vce CAN be accounted for by assuming that Is remains constant
and
including
the
factor
(1+vce/VA)
in
the
equation
for
ic
as
follows:
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