一、分类

按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况进行分类：
1.单极型（导通时只有一种载流子进行导电，多子导电）：肖特基二极管、电力MOSFET（场效应晶体管）、SIT（静电感应晶体管）；
2.双极型：基于PN结的电力二极管、晶闸管、GTO、GTR。
3.复合型：IGBT(绝缘栅型晶体管)

GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其流通能力很强，但开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。将这两类器件互相取长补短形成的复合型器件，通常称为Bi-MOS器件。

二、IGBT的结构和工作

1、内部结构

IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C、和发射极E。如下图所示给出了一种由N沟道MOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT的基本组成结构。IGBT比MOSFET多了一层P⁺注入区，因而形成了一个大面积的P⁺N结J₁。这样使得IGBT导通时由P⁺注入区向N^-漂移区发射少子，从而实现了对漂移区电导进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。

其简化等效电路如下图所示：

R_N为晶体管基区内的调制电阻。

2、工作原理

其开通和关断是由栅极和发射极间的电压U_GE决定的，当U_GE为正且大于开启电压U_GE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。由于前面提到的电导调制效应，使得电阻R_N减小，这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。

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电力电子器件的分类以及IGBT的相关介绍

一、分类

二、IGBT的结构和工作

1、内部结构

2、工作原理

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