DDR功能点 ODT ZQ校准

ODT 也是 DDR2 相对于 DDR1 的关键技术突破，所谓的终结（端接），就是让信号被电路的终端吸收掉，而不会在电路上形成反射，造成对后面信号的影响。顾名思义， ODT 就是将端接电阻移植到了芯片内部，主板上不再有端接电路。在进入DDR 时代， DDR 内存对工作环境提出更高的要求，如果先前发出的信号不能被电路终端完全吸收掉而在电路上形成反射现象，就会对后面信号的影响造成运算出错。因此目前支持DDR主板都是通过采用终结电阻来解决这个问题。由于每根数据线至少需要一个终结电阻，这意味着每块DDR 主板需要大量的终结电阻，这也无形中增加了主板的生产成本 ,而且由于不同的内存模组对终结电阻的要求不可能完全一样，也造成了所谓的“内存兼容性问题”。而在DDR-II 中加入了 ODT功能，当在DRAM 模组工作时把终结电阻器关掉，而对于不工作的 DRAM 模组则进行终结操作，起到减少信号反射的作用，如下图二所示。ODT 的功能与禁止由主控芯片控制，在开机进行 EMRS 时进行设置， ODT 所终结的信号包括 DQS 、DQS# 、DQ 、DM 等。这样可以产生更干净的信号品质，从而产生更高的内存时钟频率速度。而将终结电阻设计在内存芯片之上还可以简化主板的设计，降低了主板的成本，而且终结电阻器可以和内存颗粒的“特性”相符，从而减少内存与主板的兼容问题的出现。

ZQ 校准

如下图三所示， ZQ 是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。

这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ ODCE ，On-DieCalibrationEngine ）来自动校

验数据输出驱动器导通电阻与 ODT 的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时

钟周期（在加电与初始化之后用 512 个时钟周期，在退出自刷新操作后用 256 时钟周期、在

其他情况下用 64个时钟周期）对导通电阻和 ODT 电阻进行重新校准。

　　ODT是终端匹配，那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻，但是这个内部电阻随着温度会

有些细微的变化，为了保证信号被准确的进行终端匹配，就需要ZQ了，ZQ的作用就是使用你外面

连接的，高精度240R电阻来对这个内部的电阻进行校准，

外驱动调校 OCD （ Off-ChipDriver ）
OCD 是在 DDR-II 开始加入的新功能，而且这个功能是可选的，有的资料上面又叫离线驱动

调整。 OCD的主要作用在于调整 I/O 接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，从而调整

DQS 与 DQ 之间的同步确保信号的完整与可靠性。调校期间，分别测试 DQS 高电平和 DQ

高电平，以及 DQS 低电平和 DQ 高电平的同步情况。如果不满足要求，则通过设定突发长

度的地址线来传送上拉 / 下拉电阻等级（加一档或减一档），直到测试合格才退出 OCD 操作，

通过 OCD 操作来减少 DQ 、 DQS的倾斜从而提高信号的完整性及控制电压来提高信号品质。

具体调校如下图一所示。

不过，由于在一般情况下对应用环境稳定程度要求并不太高，只要存在差分 DQS时就基本可以

保证同步的准确性，而且 OCD 的调整对其他操作也有一定影响，因此 OCD 功能在普通台式

机上并没有什么作用，其优点主要体现在对数据完整性非常敏感的服务器等高端产品领域。

VREFCA & VREFDQ

对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将VREF分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级,如下图四所示。

重置（Reset）

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3 内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，且所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，甚至不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，该功能将使DDR3达到最节省电力的目的，新增的引脚如下图三所示。

Data Mask(DM)

数据掩膜功能也称为部分写。只支持x8和x16配置。DM功能与DBI和TDQS功能共用相同的管脚。DM功能只用于写操作，且不能与写DBI功能同时使能。

应该说TDQS功能的优先级最高，如果使能了TDQS那么DM和DBI功能都被禁止

如果禁止了TDQS功能，才允许DM和DBI发挥作用。但有点我不太明白，DBI好像没有和TDQS及DM共用管脚啊

终端数据选通Termination Data Strobe (TDQS)

对于x8的DIMMs，每一个8位字节需要一个DQ选通道对（DQS/DQS#);对于x4的DIMMs，第半个

字节需要一对DQ选通对（DQS/DQS#)。当这两种不同的DIMM混合应用在同一个系统时，DQS

的负载就会不同，这样会造成信号完整性问题。TDQS就是为了解决这个问题的。

　　TDQS只用于x8 DRAM，不过TDQS还会和DM共同用用DM功能。

RDIMM0是x4 DRAM, RDIMM1是x8 DRAM, 由x4组成的RDIMM需要两个DQ选通对，其中一对连接到x8的RDIMM1上实现同样的功能，另一个选通对对于RDIMM1是没有用处的，但是连接到了TDSQ对上，当使能TDQS后，可以保证所有的选通脚负载一样。这样保证了信号的完整性。

ZQ校准

关于ZQ校正有两个命令ZQCL （ZQ CALIBRATION LONG )和ZQ CALIBRATION SHORT (ZQCS)

ZQCL主要用于系统上电初始化和器件复位，一次完整的ZQCL需要512个时钟周期，在随后（初始化和复位之后），校准一次的时间要减少到256周期。ZQCS在正常操作时跟踪连续的电压和温度变化，ZQCS需要64个时钟周期。

ZQCL命令解决了制造工艺变化的问题，并将DRAM校准到初始温度和电压设定。使用ZQCL命令进行完全校准完成需要512个时钟周期。

在此校准时间内，存储器数据总线必须保持完全空闲和安静。在初始校准之后DRAM空闲的任何时候，可以发出随后的ZQCL命令。对于这些后续命令，有时发出的命令除了初始化和复位之外，完成校准所需的时序窗口减少到256个时钟周期。
ZQ CALIBRATION SHORT（ZQCS）命令跟踪与normal operation相关的连续电压和温度变化。定期短校准使DRAM能够在整个电压和温度范围内保持线性输出驱动器和终端阻抗。
ZQCS命令需要64个时钟周期才能完成。

ZQ 校准时序

在RESET之后的第一次ZQCL必须要512个时钟（tZQINIT）周期进行一次完整的校准。在之后 ZQCL 必须要tZQOPER（256个时钟周期）

ZQCS命令在除了ATCIVITIES的任何时间发送，

所有的BANK必须Precharged 并要满足tRP的时间要求，

DDR功能点 ODT ZQ校准相关推荐

DDR中的ODT功能详解及波形对比
ODT(on die termination)即为片内端接,就是将端接电阻放在了芯片内部,这个功能只有在DDR2以上的数据信号才有.而有了ODT功能,原本需要在PCB板上加串联电阻的数据信号就不需要再 ...
I.MX6ULL_Linux_基础篇(11) DDR介绍与校准
系统级芯片通常要使用外部RAM作为程序运行空间,DDR是其中一种.但是DDR的速度发展到如今速度已经很快了,如DDR5已经达到6000,因此也会产生一些问题,比如容易受到干扰,甚至不同的pcb,cpu ...
MEMORY系列之“DDR概述”
DDR全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,从1996年三星公司提出到现在已经发展到了第六代. 1.DDR发展历程及 ...
DDR学习笔记---DDR3基本知识
首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据"填"进去,你 ...
DDR,DDR2,DDR3区别
DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术,DDR,英文原意为"DoubleDataRate",顾名思义,就是双数据传输模式.之所以称其为"双",也就意味着有&q ...
linux 内存条DDR几,DDR、DDR2、DDR3、SDRAM等内存的简要区别
转自: SDRM与DDR相比:DDR是在SDRAM的基础上,采用DLL(Delay-Locked Loop,延时锁定环)技术提供数据选通信号对数据进行精确定位,在的上升沿和下降沿都可传输数据,因此命名 ...
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR2与DDR的区别 (1)DDR的定义: 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM.DDR SDRAM是Double D ...
[HARDWARE] ddr、ddr2、ddr3的区别
ddr.ddr2.ddr3的区别 DDR2与DDR的区别与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽.这主要是通过在每个设备上高效率使用两 ...
DDR介绍及设计要求详解1
DDR介绍及设计要求详解 DDR类别和参数介绍 DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术.TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低.工艺要求不高,缺点 ...
DDR基础知识点汇总
文章目录文档推荐 DDR颗粒的电路图来源 DDR3 SDRAM电路结构高清图 DDR4 SDRAM电路结构高清图 DDR3-1866控制器/PHY/颗粒之间的带宽关系 channel > DI ...

DDR功能点 ODT ZQ校准

DDR功能点 ODT ZQ校准相关推荐

最新文章

热门文章