电力电子技术笔记(7)——器件的保护
目录
过电压的产生及过电压保护
1、引起过电压的原因
2、过电压保护措施
3、RC参数的计算
4、采用压敏电阻的过压保护
过电流保护
1、过流保护电子电路
2、交流侧过流继电器保护
3、直流快速断路器保护
4、快速熔断器
缓冲电路
分类
1、BJT的开关波形与缓冲电路
2、耗能式缓冲电路
3、馈能式缓冲电路
过电压的产生及过电压保护
正向过电压将产生误导通。反向过电压则晶闸管被击穿,造成永久性损坏。
1、引起过电压的原因
电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压
外因过电压:主要来自雷击和系统操作过程等外因
- 操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起
- 雷击过电压(浪涌过电压):由雷击引起
内因过电压:主要来自电力电子装置内部器件的开关过程
- 换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后,反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压。
- 关断过电压:全控型器件高频工作关断时,因正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。
2、过电压保护措施
过电压保护的基本原则是,消耗过电压储存的电磁能量。
T——变压器
F——避雷器,D——变压器静电屏蔽器,C——静电感应过电压抑制电容(接地电容),——阀侧浪涌过电压抑制用RC电路(阻容吸收),——阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路,RV——压敏电阻(电压较高时,阻抗较小;电压较低时,阻抗较大)过电压抑制器,——阀器件换相过电压抑制用RC电路(元件阻容吸收),——直流侧RC抑制电路,RCD——阀器件关断过电压抑制用RCD电路
电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。
其中和RCD为抑制内因过电压的措施,属于缓冲电路范畴。
雷击过电压可在变压器初级加接避雷器(F)加以保护。
变比大的变压器,存在分布电容,加屏蔽层(D)接地。
阻容保护电路抑制电路中的过电压,电阻能消耗部分的过电压能量,电容抑制过电压的产生。RC在变流器装置的交流侧、直流侧、并在元件上。RC有效地抑制元件关断时的关断过电压。
3、RC参数的计算
在单相变压器次级绕组边并联阻容保护电路,其R、C的计算公式为:
,
S为变压器每相容量;为变压器二次侧相电压有效值;为变压器励磁电流百分值,为变压器的短路电压百分值。其它参数的计算可以参阅相关手册或教材。
4、采用压敏电阻的过压保护
对于雷击或更高的浪涌电压,采用压敏电阻等非线性电阻进行保护。
压敏电阻正、反两个方向相同、比较陡的伏安特性:
作用:把浪涌电压限制在器件允许的电压范围。
由于压敏电阻的正、反向特性对称,因此单相电路只需一个,三相电路联结成Y形或形。
压敏电阻选用方法:
- 额定电压:(压敏电阻承受工作电压的峰值),式中为电网电压升高系数,一般取1.1~1.2。系数(0.8~0.9)为性能退化系数。
- 估算值,为放电电流达规定值时的电压值,由被保护元件的耐压值决定。
当变压器容量大、距外线路近、无避雷器时通流容量应尽可能取大值。
压敏电阻只能作过压保护,不能作du/dt保护。
过电流保护
过电流——过载和短路两种情况
保护措施
同时采用几种过电流保护措施,提高可靠性和合理性。
1、过流保护电子电路
电子电路作为第一保护措施,反应最快。对重要的且易发生短路的晶闸管设备,或全控型器件,需采用电子电路进行过电流保护。
2、交流侧过流继电器保护
过电流继电器整定在过载时动作,通过电流检测装置,过流时,控制过电流继电器,使交流断路器触点跳开,切断电源。
3、直流快速断路器保护
是动作时间只有2ms的直流快速开关,它可先于快速熔断器动作而保护器件。直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护。
4、快速熔断器
快速熔断器FUF是防止器件过流损坏的最后一道防线,是晶闸管变流装置中应用最普遍的过电流保护措施。
快速熔断器FUF可用于交流侧、直流侧和装置主电路中,具体接法如下图所示:
与器件串联的快速熔断器的选用原则是:
- 快速熔断器的额定电压应大于线路正常工作电压有效值。
- 快速熔断器的熔体额定电流:。
- 熔断器(安装熔体的外壳)的额定电流应大于或等于熔体电流值。
快熔对器件的保护方式:全保护和短路保护两种
- 全保护:过载、短路均由快熔进行保护,适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。
- 短路保护:快熔仅作为短路时的部分区段的保护,只在短路电流较大的区域起保护作用。
常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节,响应最快。
缓冲电路
缓冲电路(Snubber Circuit):又称吸收电路,抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗,避免器件二次击穿和抑制电磁干扰,提高电路的可靠性。
分类
根据关断开通状态分类:
- 关断缓冲电路(du/dt抑制电路)——吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗。
- 开通缓冲电路(di/dt抑制电路)——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt,减小器件的开通损耗。
- 复合缓冲电路——关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。
按能量的去向分类:耗能式缓冲电路(电阻损耗掉能量,电路简单,但效率低)和馈能式缓冲电路(无损吸收电路,能量以适当的方式再提供给负载或回馈给供电电源,效率高但复杂很多)。
通常将缓冲电路专指关断缓冲电路,将开通缓冲电路(用得较少)叫做di/dt抑制电路。
1、BJT的开关波形与缓冲电路
从BJT的开关波形可以看出,出现集电极电压和集电极电流同时达到最大值,瞬时开关损耗最大。
从BJT的负载轨迹线看,开通和关断时很可能超过了安全工作区,应采用开通和关断缓冲电路。
解决方法:开通时di/dt不要太大,可以利用电感的电流不能突变的特性,在电路中串接电感,令负载轨迹从A到C;关断时du/dt不要太大,可以利用电容两端电压不能突变的特性,在开关装置两端并联电容,令负载轨迹从C到A。
BJT缓冲电路的工作原理:
BJT(GTR)以一定的开关频率工作。当BJT导通时,负载电流通过BJT;当BJT截止时,负载电流通过二极管;当电感极大时,电流基本不变;当BJT导通时,BJT电流很快上升到负载电流。在BJT关断、集电极电压上升过程,一直有负载电流通过。
2、耗能式缓冲电路
关断缓冲电路
原理分析:由电阻、电容和二极管网络组成并与BJT开关并联连接。BJT关断时,负载电流经和,受到限制,电容越大,越小。由于电容,所以不会再出现最大的瞬时尖峰损耗。
加入缓冲电容后,BJT功耗下降,但缓冲电路功耗增加。因为当下一次BJT开通时,电容将经电阻和BJT放电,BJT关断之后存储的能量消耗在电阻上。故称耗能式关断缓冲电路。
无缓冲电容时,集电极电压上升时间极短,出现大的瞬时关断损耗;当缓冲电容较小,那么下降到零以前集电极电压已上升至电源电压;当缓冲电容较大时,下降到零以后,集电极电压才上升至电源电压。所以缓冲电容越大,关断损耗越小。
开通缓冲电路
开通缓冲电路称为di/dt抑制电路,用串联电感缓冲。
开通缓冲电路由电感和、组成并与BJT集电极相串联。在BJT开通过程,电感控制电流的上升率;当BJT关断时,储存在电感中的能量经过二极管消耗在电阻上。
在开通的瞬间即达到而线性下降,出现开通尖峰功耗。加入缓冲电路后,电感越大,上升时间增大,越小,开通功耗最大值减小。
复合缓冲电路
开通时,减少,缓冲电容经、回路放电。关断时,和组成有极性的缓冲电路。限制BJT的及关断损耗,电阻提供放电电路。
明显地改变了集电极电压和电流同时出现最大值的情况。
3、馈能式缓冲电路
可分为无源的和有源的两种方式。下面介绍无源馈能式缓冲电路。
馈能式关断缓冲电路
称为转移电容,称为回馈二极管。
开通时,电容上的电压通过、、、BJT,通路转移至电容上,限制放电电流。关断时,充电至电源电压,通过向负载放电,能量得到回馈。限制了电压上升率。
馈能式开通缓冲电路
耦合电感匝比为1:N,一次侧起抑制的作用。开通时,一次侧承受全部电源电压,二次侧异名端电压低,无通电回路。关断时,异名端电压高于电源电压时,向电源馈送能量。
馈能式复合电路
BJT关断时,缓冲电容器充电至电源电压。
BJT开通时,电感抑制BJT开通时的电流变化率;当电容值远大于电容值时,电容上的电压很低(),电容上的部分能量向电容转移。
当BJT再次关断时,电容再次得到充电,使BJT在电压上升过程中电流减小。电容两侧的电位升高,能量得到回馈。当电感能量较大、右电位高于时,电感通过和将储存的能量通过馈送给负载。
充放电型RCD缓冲电路,适用于中等容量的场合。
另外两种常用的缓冲电路
其中RC缓冲电路主要用于小容量器件,而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。
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