最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存，想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作，写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取。

1、程序清单 与 测试结果

本程序包含5个文件,分别是：

1、Flash.c：内部flash读取储存相关函数

2、Flash.h：flash头文件

3、USART1.c：STM32F030F4P6的串口驱动，串口仅用于打印数据观察。

4、USART1.h：串口头文件

5、main.c：防止程序主入口

1、Flash.c

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2、Flash.h

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3、USART1.c

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4、USART1.h

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5、main.c

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测试结果：

第54-199省略..

2、程序详解

2.1、内存结构：

STM32F0xx的flash结构如下:最多具有64页,每页1KByte大小。

我使用的STM32F030F4P6 flash区域有16K，所以实际上只有0-15页，本程序中把需要保存的数据数据存放在最后一页(第15页)中。

2.2、定义数据包结构

为了保证储存和读出flash的数据是正确的，本程序将写入flash数据分为3个区域

报头区：写入数据的时候，将第15页的第1、2字节写入0xaa55，在读出的时候如果此位置不是0xaa55,则表示这段数据数据无效，不是由自己存入的数据或者程序出现了异常；

长度：写入数据的时候，第15页的第3、4字节写入有效数据的长度，读出这个字段，就知道上次自己一共存入了多少数据；

数据段：从第15页的第5字节开始，全部字节(1020byte)用于储存uint8_t类型的数据；

2.3、写操作

写操作有如下步骤：

保护：由于我们只有1Kbyte空间，出去4个字节的报头和长度，实际只能存储1020个u8类型，写太多返回失败。

解flash锁

页擦除

写入数据包

上锁

/*******************************************************************************

* Function Name : Flash_eeprom_WriteWithPacked

* Description : Write a group of datas to flash.

* Input : buff:pointer of first data, length: write length

* Output :

* Return : true/false

*******************************************************************************/

bool writeMessageToFlash( uint8_t *buff , uint16_t length)

{

uint16_t temp;

int i;

/*Protection*/

if( (length+4) > STM32F0xx_PAGE_SIZE )

{

return false;

}

FLASH_Unlock( );

/*Clear all flags*/

FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR );

/*Erase first . Do not rember.*/

if(FLASH_COMPLETE != FLASH_ErasePage(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR))//°üº¬Á˵ȴýbusy

{

return false;

}

/*Write head*/

FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR, EEPPROM_PACKAGEHEAD );

/*Write length*/

FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+2 , length );

/*Write datas*/

for(i=0 ;i

{

temp = buff[2*i]|(uint16_t)buff[2*i+1]<<8;

FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+2*i , temp);

}

if( isItOddNumber(length) )//Write one more if length is odd number.

{

temp = (uint16_t)buff[length-1];

FLASH_ProgramHalfWord( STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+(length-1) , temp);

}

/*Read out and check*/

for(i=0 ;i

{

if( *(uint8_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+i) != buff[i] )

{

FLASH_Lock();

return false;

}

}

FLASH_Lock();

return true;

}

2.3.1、解锁操作：

用户手册描述如下：

在(芯片)重置过后，为了防止多余的擦写操作flash会被保护。除了OBL_LAUNCH位用于重载option bit，FLASH_CR寄存器的其他部分都不可以访问。

需要把以下两个解锁序列写入FLASH_KEY寄存器，才能访问FLASH_CR：

0x45670123

0xCDEF89AB

检索官方库定位FLASH_Unlock()这个函数，它的底层实现与文档描述相符，另外增加了防止重复解锁的操作，直接使用FLASH_Unlock()这个函数即可以完成解锁。

2.3.2、页擦除

用户手册描述如下：

1、通过检查FLASH_SR寄存器的BSY位来确认flash没有使用

2、把FLASH_CR寄存器的PER位置SET

3、通过编写FLASH_AR寄存器来确认要擦除的页

4、将FLASH_CR寄存器的STRT位置SET

5、等待BSY位rst

6、检查FLASH_SR寄存器中的EOP标记(成功会置SET)(流程图没有、库函数没检查)

7、清除EOP标记(流程图没有、库函数没清除)

检索官方库定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)这个函数，它的底层实现与文档流程图描述相符，值得注意的是，手册描述中6、7步并没有出现在手册的流程图和库函数中(库版本V1.2.0)。但在使用中没有出现问题，这里先记录看以后使用中会不会出现问题

2.3.3、往flash中写入数据

用户手册描述如下

1、通过检查FLASH_SR寄存器的BSY位来确认flash没有使用

2、设置FLASH_CR寄存器的PG位

3、在目标地址上写入半个word的数据

4、等BSY位reset

5、检查FLASH_SR寄存器的EOP标记(SET表示成功)(流程图没有出现、库函数中没检查)

检索官方库定位到FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)这个函数，它的底层实现与文档流程图描述相符，同样地，库函数没有检查第五步的EOP标记

2.3.4、上锁操作

根据手册提示，定位到库函数void FLASH_Lock(void)。只要置位LOCK位就上锁了。

2.4、读操作

程序如下

/*******************************************************************************

* Function Name : readPackedMessageFromFlash

* Description : Read packed message form flash

* Input : buff:point to first location of received buffer.length:Maxmum length of reception

* Output :

* Return : reception length

*******************************************************************************/

uint16_t readPackedMessageFromFlash( uint8_t *buff , uint16_t length)

{

int i;

uint16_t getLength;

if( !doseFlashHasPackedMessage() )

return 0;

/*Get valuable length*/

getLength = getValuablePackedMessageLengthofFlash();

/*Read out message*/

for(i=0;i

{

buff[i]= *(uint8_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+4+i);

}

return MIN(getLength,length);

}

根据用户手册提示，读操作是可以直接取址的，所以读操作实际只有如下一句只要用uint8_t类型取出目标地址再取值就可以了。

但是，我们的数据是打包的(详见2.2)，所以还需要：

1、根据报头判断是不是有效数据

2、根据长度判断要读取多少数据

3、最后才是读出数据

2.4.1、判断数据有效性：

我们通过报头来判断数据是不是自己写入的。

也就是判断flash第15页的第1、2个字节是不是0xaa55，如果不是，那这段数据是无效的。

另外再判断一下长度字段，如果长度等于0，也就是后面没有数据，那这段数据也是无效的。

/*******************************************************************************

* Function Name : doseFlashHasPackedMessage

* Description : Does flash has packed messages

* Input : None

* Output :

* Return : ture/false

*******************************************************************************/

bool doseFlashHasPackedMessage(void)

{

uint16_t length;

uint16_t getHead;

/*Is head matched*/

getHead = (uint16_t)(*(uint16_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR ));

if( EEPPROM_PACKAGEHEAD != getHead )

{

return false;

}

/*Is length zero*/

length = (*(uint16_t*)(STM32F0xx_FLASH_PAGE15_STARTADDR+2));

if( 0 == length)

{

return false;

}

return true;

}

2.4.2、根据长度读出数据：

在读Flash程序中，getLength是从flash中读出的长度，length是我们指定的最大读取长度。如果getLength大于我们指定读取长度，很可能会造成溢出，所以两者取小的一个防止溢出。