JFET压控电阻的线性补偿

以下内容出自《振荡电路的设计与应用》，使用JFET作为压控电阻实现振荡电路的AGC稳幅，加反馈改善Rds的原理是什么，经过不断的思考以及查阅资料，终于弄明白了其中的道理。欢迎批评指正。

2SK30A是一只N沟道的JFET，理想情况下，在可变电阻区，Rds只受到控制电压Vgs的控制，理论上(a)图就够了。

但是，当Rds上加入大振幅交流信号时，情况又有了微妙的变化：
随着Vds的增大，漏极的沟道变窄(G和D之间的PN结变厚)，因此电阻随之变大，因此想要在ΔVds比较大时保持良好的Rds特性必须采取措施。

如图(b)所示，加入反馈电阻R3和0.1u的隔直电容：
当Rds上得电流变大时，Vds变大，导致Rds变大，因此吧Vds馈给栅极，使得栅极电压往正方向偏移，这样就可以减小Rds。这样就实现了稳定和改善Rds线性度的目的。

那反馈量到底多大合适呢？
根据网上查阅到内容《大动态范围高线性JFET压控电阻》
对于单独的JFET管子在可变电阻区有：

理论上，如果把公式中的Vgs替换成Vds和Vgs的平均值就可以消去二次项，我们回过头看看图(b)，反馈的设置正是这种方式。

不加反馈和加反馈的Rds控制效果对比，在教材中已经列举如下：
控制电压Vgs = -1.5V，在漏源之间注入1kHz，100uA的交流电流，观察通过Vds的波形来评价Rds的线性程度，左边为没加反馈的效果，右边为加入反馈的效果。

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