硬件知识学习整理:(上拉,下拉),(三极管),(OC,OD,推挽输出),(NMOS与PMOS),(MOSFET驱动电路),(IR2110S)
上拉电阻
对于低电平有效的复位控制信号(RST#),若处于悬空状态,刚上电或运行中受到干扰变成低电平,会导致错误复位,此时应该用上拉电阻。
下拉电阻
当我们希望某个引脚不控制时为低电平,同时控制时可以为高电平,如高电平有效的使能控制信号(EN),应使用下拉电阻。保证在上电后或运行中即使受到干扰仍为低电平。
所谓的强拉,就是电阻为0.
参考:stm32设置内部上拉电阻_比较全面的电阻上、下拉介绍_miss废柴的博客-CSDN博客
三极管
PN节永远是P指向N。
NPN三极管的基极为高电平时三极管导通
PNP三极管的基极为低电平时三极管导通
OC(集电极开路)
- A=0,①截止,②导通,相当于开关闭合,输出0V(实际输出不是0V,因为三极管存在饱和压降)。
- A=1,①导通,②截止,相当于开关断开,C点呈现高阻态,通常情况下C点要有上拉电阻,以输出高电平。
I2C,SMB(一发一收两个端子)类型总线就是OC门或OD门,也是因为这种IO的高阻态输出和“线与逻辑”才能让他们能够有一个master,多个slave,也不会出现短路情况。
使用注意事项:
1.上拉电阻太小,会增大饱和压降,导致输出的低电平很高。
2. 上拉电阻太大,会延缓信号的上升沿。
3. OC门可以连在一起,做“线与逻辑”。
4. 上拉电压可以根据下一级输入端的电平标准来选择,但也要注意芯片输出端口的电压maximal rating
OD(漏极开路)
- A=0,①关闭,②导通,相当于开关闭合,输出0V(因为MOS管的导通阻抗很低,所以输出几乎等于0)。
- A=1,①导通,②关闭,相当于开关断开,C点呈现高阻态,通常情况下C点要有上拉电阻,以输出高电平。
- I2C,SMB类型总线就是OC门或OD门,也是因为这种IO的高阻态输出,和“线与逻辑”才能让他们能够有一个master,多个slave。
使用注意事项:
1.上拉电阻太小,会导致MOS管②的导通电流过大,烧毁MOS管。
2. 上拉电阻太大,会延缓信号的上升沿。
3. OD门可以连在一起,做“线与逻辑”。
4. 上拉电压可以根据下一级输入端的电平标准来选择,但也要注意芯片输出端口的电压maximal rating
推挽输出
1.input输出高电平时,PMOS截止,NMOS导通,output=0V
2.input输出低电平时,PMOS导通,NMOS截止,output=VDD
原文链接:https://blog.csdn.net/Albert992/article/details/104862813?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522159101651519195162550023%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334.pc%255Fall.%2522%257D&request_id=159101651519195162550023&biz_id=
NMOS和PMOS
参数:
- Vgs:Vg与Vs之间的电压,也叫栅极门限电压,也就是达到这个电压,mos管才会导通,但只是开关刚好打开,电流还很小,并非饱和导通。
- Vds:Vd和Vs之间的电压,也就是此MOS管能承受的最大电压,超过此电压,MOS很有能烧毁。
- Id:漏极电流,即MOS管最大导通电流。
高端驱动:S极接电源
低端驱动:S级接地
MOSFET的驱动电路
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求:
(1)开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。
(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。
(5)根据情况施加隔离。
法1:IC直接驱动MOSFET
一, 查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。
第二,了解一下MOSFET的寄生电容,如图 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足,上升沿可能出现高频振荡,即使把图 1中Rg减小,也不能解决问题! IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择,所以Rg并不能无限减小。
法2:在驱动电路上增加驱动能力
提升电流提供能力,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间,但是减少了关断时间,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡
法3:驱动电路加速MOS管关断时间
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放,保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如图 3所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。
参考:浅谈MOSFET驱动电路_张先森的博客-CSDN博客
IR2110
IR2110驱动半桥的电路如图所示,其中C1,VD1分别为自举电容和自举二极管,C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压(VC1VCC)。
1.当HIN为高电平时如图4.19:VM1开通,VM2关断,VC1加到S1的栅极和源极之间,C1通过VM1,Rg1和栅极和源极形成回路放电,这时C1就相当于一个电压源,从而使S1导通。由于LIN与HIN是一对互补输入信号,所以此时LIN为低电平,VM3关断,VM4导通,这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电,由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。
2.当HIN为低电平时如图4.20:VM1关断,VM2导通,这时聚集在S1栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg1迅速放电使S1关断。经过短暂的死区时间LIN为高电平,VM3导通,VM4关断使VCC经过Rg2和S2的栅极和源极形成回路,使S2开通。在此同时VCC经自举二极管,C1和S2形成回路,对C1进行充电,迅速为C1补充能量,如此循环反复。
参考: ir2110s驱动工作原理_sinat_21139313的博客-CSDN博客_ir2110s
自举电路
参考【电力电子技术】浅析IR2110自举电路_a793478282的博客-CSDN博客_ir2110自举电路
半桥的下桥臂VT3,只要LIN为高,VM3导通,VGS=VCC,管子导通。
上桥臂:需要自举电容。此时VM1导通,VM2关断。在VGS上就是电容C的电压(悬空的电压),此时VT1通。VS的点位为MOTOR_VCC。所以VCC就不能为G提供足够的电压。由于电容的S端变为MOTOR_VCC,电容的上端就变为39V。VCC没有办法给电容充电,二极管D的存在使得电容不能向电源放电。电容的电量会降低到不能打开VT1。此时IR2110的欠压机制打开,使得VGS=0。所以说电容的容量和VGS是有联系的。而且占空比不能高。
其它
Vdd:Logic supply voltage。D:device器件工作电压
Vcc:Low side fixed supply voltage。C:circuit电路接入电压
Vss:Logic supply offset voltage。S:series公共连接
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