VPS8505 是一款适用于推挽拓扑结构的 DCDC 隔离型开关电源集成控制器,内置功率管的内阻低至 0.1Ω,满足 2.3V~6V 多种

功率的应用。电流过大时钳位限制功率管电流,既保证了芯片自身工作在安全区,又使得外围器件免受大电流冲击。

CLK 具有频率同步功能,可在外部时钟的作用下协调工作。为保证驱动的对称性,内部会对外部时钟分频,也就是 VD1 和 VD2

的频率为 CLK 时钟的一半。并且在两路驱动之间设计了死区时间 t BBM ,既避免了共通的现象,又可降低功率管开通时的漏源电压,减

小了开关损耗。

可通过 EN 引脚来控制芯片的开通或关断。EN 接成高电位时,芯片正常运行;EN 接成低电位时,芯片停止工作,实现***待机

功耗

1 1 特点

推挽拓扑结构

高集成度,外围简单

内置 24V /0.1Ω LDMOS

1.7A 电流钳位限制

2.3-6V 输入电压范围

具备频率同步功能

具备使能关断功能

可持续短路保护、过温保护,自恢复

芯片工作温度-40℃~+125℃

2 2 应用领域

CAN\RS-485\RS-232\SPI\I2C等低功耗隔离电源

过程控制

***仪器\医疗仪器

分布式电源\无线电电源\电信电源

低噪声隔离式 USB 电源

低噪声灯丝电源

IGBT 栅极驱动电源

3 说明

VPS8505 是一款***为小体积、低待机功耗微功

率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需

匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电

路,即可实现 3.3V 或 5V 输入、3.3V~24V 输出、输出

功率 1~3W 的隔离电源。

VPS8505 芯片内部集成振荡器,提供一对***

互补信号以驱动两个 N 沟道 MOSFET。芯片内部按照

对称结构设计,能有效确保两个功率 MOSFET 的高度

对称性,避免电路在工作过程发生偏磁。芯片具有使能

功能和频率同步功能,同时内部设计有***的死区控

制电路确保在各种工作条件下不出现共通现象。

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