CMOS图像传感器设计重点

1. AVDD禁止使用DCDC直接供电，必须用LDO进行供电，并且要进行良好滤波。

2. VREF信号外接电容尽量靠近芯片引脚，并且远离IO翻转信号，比如MIPI CLK等等。

3. DOVDD电压必须与主控IO电压保持一致。

4. 模拟地、IO地在面积紧张时可以不分割，直接连接GND，保证GND平面完整即可。

5. MIPI信号走线要求：

a. MIPI的差分阻抗控制是100Ω，误差10%以内。

b. 避免直角走线，以免产生反射，影响高速传输性能。

c. 参考层： MPI信号线下方必须有参考层，并且一定要保证参考层的完成性。

d. 等长: MIPI差分对内等长控制在10mil以内。对于对的长度误差控制在100mil，对内的补偿尽量放到焊盘处。

e. 对称性：MIPI信号必须严格按照差分形式走线，线宽线距除焊盘、过孔外必须严格保证一致，否则可能导致信号失真，图像干扰。

f. 远离干扰源： mipi差分对之间至少要满足3W，需要远离其他高速信号线并且不能与其他高速信号并行走线。

g. 过控：mipi信号尽量少打过控，必须打孔时需要对称打孔，并且需要在过控旁边增加地过控。

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