基于STM32的AT24C08数据读写

有关AT24C02/04/08的区别：02有2k的空间，04有4k，08有8k，每2k作为一个page；

器件地址的区别：

根据芯片手册：

可以看到：对于2k的器件，A2,A1,A0均作为地址位；对于4k的器件，A2和A1作为地址位，而A0位则作为寻页位，也就是A0为0时，选定第一页，A0为1时，选定第二页；而对于8k的器件，仅有A2位作为地址位，而A1和A0均作为寻页位，当A1A0为：00，01，10，11时，依次对应第1，2，3，4页。

而最低位为确定读还是写操作，为0时表示写操作，1表示读操作。

所以对于本次使用的AT24C08，进行写操作时，其器件地址可以为 0xA0 | XX（XX为00，01，10，11）；进行读操作时，其器件地址可以为 0xA1 | XX（XX为00，01，10，11）.

对应写操作的时序图：

/**@breif   指定地址写入一个字节*@param  器件地址(写）:0xA0|XX,XX可以为00，01，10，11，表示不同页（总共1024k)数据所在地址:0x00~0xFF要写入的一个字节:Data*@retval     无
*/
void AT24C08_WriteByte(uint8_t DeviceAdd_W,uint8_t DataAdd,uint8_t Data)
{IIC_Start();IIC_Send_Byte(DeviceAdd_W);IIC_Wait_Ack();IIC_Send_Byte(DataAdd);IIC_Wait_Ack();IIC_Send_Byte(Data);IIC_Wait_Ack();IIC_Stop();Delay_ms(2);
}

值得注意的是：进行EEPROM写操作是需要一定的写入时间，否则数据会产生混乱。

对应读操作的时序图：

/**@breif   指定地址读取一个字节*@param  器件地址（写和读）:0xA0|XX,XX可以为00，01，10，11，表示不同页（总共1024k)数据所在地址:0x00~0xFF*@retval 读取到的数据:Data
*/uint8_t AT24C08_ReadByte(uint8_t DeviceAdd_W,uint8_t DeviceAdd_R,uint8_t DataAdd)
{uint8_t Data;IIC_Start();IIC_Send_Byte(DeviceAdd_W);IIC_Wait_Ack();IIC_Send_Byte(DataAdd);IIC_Wait_Ack();IIC_Start();IIC_Send_Byte(DeviceAdd_R);IIC_Wait_Ack();Data = IIC_Read_Byte(0);//No AckIIC_Stop();return Data;
}

而进行EEPROM读操作连续读是没有问题的。

主函数进行验证：

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "I2C.h"
#include "AT24C08.h"
#include "OLED.h"
#include "Delay.h"int main(void)
{uint8_t Num1 = 0,Num2 = 0,Num3 = 0,Num4 = 0;OLED_Init();IIC_Init();AT24C08_WriteByte(0xA0,0x00,11);//在第1页的0x00写11AT24C08_WriteByte(0xA2,0x00,22);//在第2页的0x00写22AT24C08_WriteByte(0xA4,0x00,33);//在第3页的0x00写33AT24C08_WriteByte(0xA6,0x00,44);//在第4页的0x00写44Num1 = AT24C08_ReadByte(0xA0,0xA1,0x00);Num2 = AT24C08_ReadByte(0xA2,0xA3,0x00);Num3 = AT24C08_ReadByte(0xA4,0xA5,0x00);Num4 = AT24C08_ReadByte(0xA6,0xA7,0x00);//逐个读取OLED_ShowString(2,1,"Read Num:");while(1){OLED_ShowNum(2,10,Num1,3);Delay_s(1);OLED_ShowNum(2,10,Num2,3);Delay_s(1);OLED_ShowNum(2,10,Num3,3);Delay_s(1);OLED_ShowNum(2,10,Num4,3);Delay_s(1);}
}

最终结果：

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