flash不同颗粒SLC、MLC、TLC、QLC擦写次数
flash有四种颗粒SLC、MLC、TLC、QLC。
SLC质量最好也最贵，MLC、TLC、QLC依次变差变便宜。
下面是具体的介绍，来自网络。
SLC（单层存储单元）
速度最快，寿命最长，价格最贵的SLC颗粒
intel 傲腾900P固态硬盘是英特尔针对商业客户和游戏发烧友推出高性能SSD，它使用的就是SLC闪存颗粒，寿命约为全盘写入15000次，每天全盘写入一次，预估寿命为40年。
全称是Single-Level Cell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
MLC（双层存储单元）
速度较快，寿命较长、价格较贵的MLC颗粒
三星960 Pro是三星针对游戏发烧友和专业级用户推出的高性能SSD，它使用的是MLC闪存颗粒，寿命约为全盘写入1500次，每天全盘写入一次，预估寿命为4年。
全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。
TLC（三层存储单元）
速度较慢，寿命较短、价格最便宜的TLC颗粒
普通用户根本没有那么大的写入数据需求，以每天20G的数据写入量，即便是寿命最短的三星960EVO，预期寿命也有20年。
全称是Trinary-Level Cell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称是Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。
对普通人用户来说，SLC颗粒就像劳斯莱斯幻影，好是好，但是太贵，所以，极少有人买；MLC颗粒就像宝马7系，车还算可以，但还是贵，买的人还是少；只有TLC颗粒就像福克斯，虽然性能和品质远不如劳斯莱斯和宝马730，但是价格实惠，所以，买的人最多。
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