GaN（第三代器件）特性的总结

1.GaN的特点：

GaN与传统的MOS管不同，由于没有PN结，不存在体二极管，所以不会有反向恢复的问题；
DS之间的导通是通过中间的电子层，所以可以双向导通，即常开。
当需要关断时，G极加负压，实际当中不需要。（）

2.GaN与cool-MOS比较

更低的驱动损耗，100mA的驱动电流
更低的米勒效应/更低的开关损耗
更小的死区时间
更小的反向恢复时间

3.GaN在软开关电路上的应用（软开关电路的损耗主要来源）

Rds(ON)导通损耗
工作过程中的开关死区损耗（死区时间越小越好）
上升下降沿快慢
二极管多少存在续流

GaN主要是在死区上的损耗大大降低

氮化镓的米勒效应比Cool-Mos的好很多。很小振荡，相应的开关损耗及EMI会好

氮化镓体内没有寄生二极管即非常小的Trr，在续流方面有很大优势。

GaN器件布线注意事项(Transphorm公司)

1.驱动与MOS的引脚距离要直,要短.(上管)

2.氮化镓MOS, G,S,D,要注意.

3.当有上,下管应用时,上管到驱动的距离要尽可能短,下管可稍长点.

4.与MOS三个脚相连的器件走线要尽可能短.

(与FET相连的三个脚，尽可能减少线路上的走线引起的寄生电感，即越短越好，相连的线用尽可能大的铜皮器件近可能靠近，让回路最小化近,且大面积铜为佳大面积以减小寄生电感)

5.功率管两端尽可能要加去藕电容82nF两三个并放。

6.针对氮化镓材料，不能放如下图中的G,S间的器件。当然放一个10K以上的电阻没有关系。其它不能放、因G极门阀电压较低以免引起误触发。

7.因氮化镓MOS速度很快,达6nS,所以接地线及管子的引线偏长会带来寄生电感的问题,易引起振荡.探头得改下,否则易因振荡而烧掉MOS。

8.TO-247建议加RC电路，TO-247封装集成了寄生电感。TO-220无需加

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