dry的原理_Dry Etch 工艺基本原理及良率剖析(经典讲解)

Dry Etch

工序的目的

广义而言，所谓的刻蚀技术，是将显影后所产生的光阻图案真实地转印到光阻下的

材质上，形成由光刻技术定义的图形。

它包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除，

可分为湿式刻蚀

(wet etching)

和干式刻蚀

(dry etching)

两种技术。

湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比(

selectivity

)。

然而，由于化学反应没有方向性，因而湿式刻蚀是各向同性刻蚀。当刻蚀溶液做纵

向刻蚀时，侧向的刻蚀将同时发生，进而造成底切(

Undercut

)现象，导致图案线

宽失真，如下图所示。

底切现象

自

1970

年以来，

元件制造首先开始采用电浆刻蚀技术

(也叫等离子体刻蚀技术)

，

人们对于电浆化学性的了解与认识也就越来越深。

在现今的半导体集成电路或面板制造过程中，要求精确地控制各种材料尺寸至次微

米大小，而且还必须具有极高的再现性，电浆刻蚀是现今技术中唯一能极有效率地

将此工作在高良率下完成的技术，因此电浆刻蚀便成为半导体制造以及

TFT LCD

Array

制造中的主要技术之一。

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