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OV13850 datasheet

前提说明（PRELIMINARY SPECIFICATION）概述

1/3.06’’ color CMOS 13.2 megapixel ( 4224 * 3136) image sensor with OmniBSI-3 technology
1/3.06 寸彩色 CMOS 13.2 百万像素的图像传感器是 OmniBSI-3 技术工艺的

1/2.3’’ 和 1/3.06’’ 也就是指摄像头芯片（sensor）的光学尺寸，也就是 2.3分之1 的尺寸和 3.06分之1 的尺寸，这个是对角线，不是长也不是宽，三分之一英寸 inch，1英寸=2.539999996…厘米，所以三分之一英寸就是 8.5mm * 8.5mm 左右
1.4u的16M就是1/2.3"，1.12u的13M就是1/3.06"

CMOS 典型的固体成像传感器，还有ccd
高端的ccd与cmos没有什么差别佳能尼康很多高端机都是cmos
　　低端的选择ccd

Applications 应用
1.Callular phones //移动手机
2.PC multimedia //PC 多媒体
3.Tablets //平板电脑

Features
1.1.12um * 1.12um pixel with OmniBSI-3 tm technology
单像素尺寸 1.12um 1.12um 单像素尺寸越小越好？还是越大越好，与进光量有关？
2.Optical size of 1/3.06’’ sensor 光学尺寸
3.31.2° CRA for < 6mm z-height CRT 自动暗电流校正
4.Programmable controls for frame rate,mirror and flip,cropping,and windowing
可编程控制帧率、镜像、翻转、裁剪、窗口
5.Support for image sizes: 13.2MP (42243136),10MP (16:9- 42242376), 4K2K (3840 * 2160),
EIS 1080P(21121188), EIS 720P (1408*792),and more
支持的影像大小 1080P 和 1080i 区别
P：progressive，意思是逐行扫描，帧编码
I：interlace，意思是隔行扫描，场编码

6.13.2MP at 30fps 可高达 30fps
7.Two-wire serial bus control (SCCB) 双线串行总线控制，就是I2C控制接口，控制寄存器
SCCB 串行摄像机控制总线协议，相当于简易i2c接口，有三线和两线的，两线的分为SIO_C和SIO_D ，三线分为 SIO_C SIO_D SIO_E
我们就是直接使用 I2C 接口来控制的吧
8.Strobe output to control flash （选通脉冲，频闪闪光灯）支持闪光灯输出控制闪光
9.8kbits of embedded one-time programmable (OTP) memory
有 8k bits 的嵌入式一次性可编程存储器 OTP
OTP（One Time Programmable）是MCU的一种存储器类型，意思是一次性可编程：程序烧入IC后，将不可再次更改；因此OTP语音芯片就是指一次性烧录的语音IC。从OTP定义上来看，即只能一次性烧录的语音芯片，同时大家都知道OTP没有最小数量的限制，只要客户提供声音，语音IC环芯公司把声音处理和编程后通过烧录工具烧入OTP芯片中。

10.Two on-chip phase lock loops(PLLs) 芯片上两个锁相环 PLL
11.Frame exposure mode for still image (with mechanical shutter)
静态图像帧曝光模式（机械快门）
12.Programmable controls : gain,exposure,fram rate,image size,horizontal mirror,vertical flip,cropping,and panning
编程控制：增益、曝光、帧率、图像大小、水平镜像、垂直翻转、裁剪、平移
也就是可以通过寄存器来控制
13.Image quality controls: defect pixel correction,automatic black level calibration ,lens shading correction, and altemate row HDR
图像质量控制：缺陷像素校正(坏点校正)、自动暗电流校正、镜头阴影校正、格式行 HDR

ISP-坏点校正（DPC）——坏点校正：图像传感器中的传感器上每一光线采集的点形成的阵列工艺存在缺陷，或光信号进行转化的过程中出现错误，会造成图像上有些像素的信息有误，导致图像中的像素值不准确，这些有缺陷的像素即为图像坏点(Bad pixel)。
由于来自不同工艺技术和传感器制造商，尤其对一些低成本、消费品的sensor来说，坏点数会有很多。此外，sensor在长时间、高温环境下坏点也会越来越多，从而破坏了图像的清晰度和完整性。
坏点校正（Defect Pixel Correction）即是解决此问题的方法，坏点的分类有以下几种：

静态坏点：
亮点：一般来说像素点的亮度值是正比于入射光的，而亮点的亮度值明显大于入射光乘以相应比例，并且随着曝光时间的增加，该点的亮度会显著增加；
暗点：无论在什么入射光下，该点的值接近于0；
动态坏点：在一定像素范围内，该点表现正常，而超过这一范围，该点表现的比周围像素要亮。与sensor 温度、增益有关，sensor 温度升高或者gain 值增大时，动态坏点会变的更加明显。
就需要通过 tuning 相关算法来？
坏点校正详细： https://blog.csdn.net/xiaoyouck/article/details/73134846

自动暗电流校正—— CRT 自动暗电流校正

ISP-镜头阴影校正（LSC）——镜头阴影校正（Lens Shading Correction）是为了解决由于lens的光学特性，由于镜头对于光学折射不均匀导致的镜头周围出现阴影的情况。
shading可以细分为luma shading和color shading：
https://blog.csdn.net/xiaoyouck/article/details/77206505 —— 镜头阴影校正

HDR 高动态范围图像（High-Dynamic Range，简称HDR），相比普通的图像，可以提供更多的动态范围和图像细节，根据不同的曝光时间的LDR(Low-Dynamic Range)图像，利用每个曝光时间相对应最佳细节的LDR图像来合成最终HDR图像，能够更好的反映出真实环境中的视觉效果。

14.Built-in temperature sensor 内置温度传感器
15.Suitable for module size of 8.5 mm * 8.5 mm * <6mm 适用于模块大小

*****Note pixel performance shown are target values. These values are subject to change based on real measurements
注意像素性能显示的目标值。这些值可以根据实际来进行修改

Key specifications (typical) 关键规格典型值
1.Active arry size : 4224*3136 实际像素大小
2.Power supply: 电源供给
(1)Analog : 2.6~3.0V (2.8V nominal) 模拟电压 AVCC：模拟部分电源供电
(2)Core : 1.14~1.26V (1.2v nominal) 核心电压？DVDD 数字部分电源供电
(3)I/O : 1.7 ~ 3.0V (1.8V or 2.8 V nominal)

3.power requirements: 耗电需求
(1)Active: 223 mW 工作中
(2)Standby: 300uW 待机
(3)XSHUTDOWN: 1uW 关机

4.Temperature range: 温度
Operating: -30°C to 85 °C junction temperature
stable image : 0°C to 60°C junction temperature

5.Output interfaces: up to 4-lane MIPI serial output 输出接口，最高4路 mipi 串行接口
6.Output formats : 10-bit RGB RAW sensor 输出数据格式 10位 RGB 原始数据
7.Lens size : 1/3.06’’ 镜头大小
8.Input clock frequency : 6~64MHZ
9.Lens chief ray angle : 31.2° 摄像头模组光学 CRA
从镜头的传感器一侧，可以聚焦到像素上的光线的最大角度(镜头CRA)
https://www.cnblogs.com/whw19818/p/7247327.html

10.Sensitivity : TBD 灵敏度 To Be Determined 待定的
11.Max S/N ratio : TBD
12.Dynamic range :TBD 动态范围规划
13.Pixel size : 1.12um * 1.12um 像素大小
14.Dark current : TBD 暗电流
15.Image area :4815 um * 3678.3 um 图像区域（42241.12um ）（3136* 1.12um）
16.Die dimensions: 6210 um * 5517 um (COB), 6260um *5567 um (RW) (see section 8 for detials)
模具尺寸

***** note COB refers to whole wafers with known good die and RW refers to singulated good die on a reconstructed wafer. Die size differs between COB and RW

玉米是指整个晶片与已知良好的死和RW指扣带回好死在重建的晶片。模大小穗轴和RW之间的不同

详细请下载
《OV13850datasheet_文档翻译解析.pdf》