芯片IC附近为什么都放0.1uF的电容?这样做正确吗?有什么依据吗?
去面试的时候,人家问我芯片附近放置的电容是多少?我说是0.1uF,他又问我,为什么选取0.1uF,我说参考别人的原理图,大部分都是这么做的,他又问我,为什么是0.1uF???而不是0.01uF?或1uF,有什么理论依据吗?问的我哑口无言。
先来看看电容,电容的作用简单的说就是存储电荷。我们都知道在电源中要加电容滤波,在每个芯片的电源脚放置一个0.1uF的电容去耦。等等,怎么我看到要些板子芯片的电源脚旁边的电容是0.1uF的或者0.01uF的,有什么讲究吗。要搞懂这个道道就要了解电容的实际特性。理想的电容它只是一个电荷的存储器,即C。而实际制造出来的电容却不是那么简单,分析电源完整性的时候我们常用的电容模型如下图所示。
图中ESR是电容的串联等效电阻,ESL是电容的串联等效电感,C才是真正的理想电容。ESR和ESL是由电容的制造工艺和材料决定的,没法消除。那这两个东西对电路有什么影响。ESR影响电源的纹波,ESL影响电容的滤波频率特性。
我们知道电容的容抗Zc=1/ωC,电感的感抗Zl=ωL,( ω=2πf),实际电容的复阻抗为
Z=ESR+jωL-1/jωC= ESR+j2πf L-1/j2πf C。可见当频率很低的时候是电容起作用,而频率高到一定的时候电感的作用就不可忽视了,再高的时候电感就起主导作用了。电容就失去滤波的作用了。所以记住,高频的时候电容就不是单纯的电容了。实际电容的滤波曲线如下图所示。
然后,又看了一下,网易公开课的麻省理工公开课:电路和电子学,彻底理解了,
参见上图,我们想要的最好的滤波效果是在“谷”底,就是曲线凹进去的尖尖,在这个尖尖的时候,滤波效果做好,当我们的芯片IC内部的逻辑门在10-50Mhz范围内执行的时候,芯片内部产生的干扰也在10-50Mhz,(比如51单片机),仔细看上图的曲线,0.1uF电容 (有两种,一种是插件,一种是贴片)的谷底刚好落在了这个范围内,所以能够滤除这个频段的干扰,但是,看清楚,是但是,当频率很高的时候(50-100Mhz),就不是那么回事了,这个时候0.1uF电容个滤波效果就没有0.01uF好了,以此类推,频率再高,选用的滤波电容的量级还要变小,具体怎么参考呢?参考如下
DC-100K 10uF以上的钽电容或铝电解
100K-10M 100nF(0.1uF)陶瓷电容
10M-100M 10nF(0.01uF)陶瓷电容
>100M 1nF(0.001uF)陶瓷电容和PCB的地平面与电源平面的电容
所以,以后不要见到什么都放0.1uF的电容,有些高速系统中这些0.1uF的电容根本就起不了作用。
哎,早知道这些东西就不会被鄙视了!!!
面试完之后,又和面试我的大牛讨论了一下他的模拟电路学习的方法,他说的大概的意思就是:1.保持一颗好奇心,尽可能的刨根问底,不懂的多在论坛上问一问,2.多看看拆机视频,看看别人怎么设计的,
这次面试的收获很大很大,胜过这几年的那些所谓的那些“经验”.写此文纪念一下,同时也感谢那位大牛的指点
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