STM32F05x移植GD32F1x0注意事项
提要：costdown
前言：本以为能很顺利的移植，结果130这颗芯片虽然是M3的core，实际上外部PIN与GPIO等寄存器结构与M0一致，NVIC部分又与M3一致，简言之，130即有M3的“基因”，也有M0的“基因”，主要这颗芯片是为了与ST的M0芯片抢市场。由于刚上市，所以Library从ST M0的Library基础稍作修改。寄存器名称虽然不一样，但是实际地址与功能是完全一样。下面重点列出在移植过程中，我遇到的问题：
A0：在Keil中，Device选型：
A0：GD32f130c6应当选择STM32F101C6/8，因为该系列寄存器与GD130最接近。左图为100，右图为101，实际130的SPI包含I2SCFGR与I2SPR寄存器。
另外使用STLINK读取的Device，如图：
Q1、EXTI中断无效？
A1:
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);
SYSCFG_EXTILineConfig(PWR_EXTI_PORT_SOURCE, PWR_EXTI_PIN_SOURCE);其中在操作SYSCFG寄存器时，必须先使能SYSCFG的CLK，这个问题在M0上也是一样的，但是我在移植过程中，忽略了这点。
导致花了一些时间才找到这个问题。找类似这种bug，两方面着手，一用硬件仿真，看外设寄存器是否与预设一直；二设置完后直接串口打印出来。
Q2、NVIC配置部分需要增加下面两句，M0无此配置，M3则有。
A2:
/* NVIC configuration for priority grouping */
NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
/*定位中断向量表*/
NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, 0);
另外中断优先级配置因为有组的概念，所以也有所不同，如;
STM32F051:
<span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPriority = 0x03; //0x03,与IRRec保持一致</span>GD130：
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;
NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;Q3、EXTI在handler mode进入stop mode后不能唤醒，在thread mode中进入可以唤醒？
A3:
如果在Handler mode进入STOP mode，需要唤醒，则唤醒源的中断优先级必须必进入stop mode的handler 优先级更高。否则同级或更低级的中断无法唤醒，除非退出中断。这也是在thread mode进入可以被唤醒的原因。如在timer2中进入stopmode，在exti按键唤醒。demo：
static void PWR_NVIC_Configuration(void)
{NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;/* Enable the EXTIx global Interrupt */NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PWR_EXTI_IRQn;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
}static void TIM2_NVIC_Configuration(void)
{ NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;/* Enable the TIM global Interrupt */NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = KEY_TIM_IRQn;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 2;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
} Q4:SPI寄存器区别：
A4：SPIx_CR1 Bit11，051中该bit(CRCL)是CRC length，130是FF16(FF16)是data frame formate；
SPIx_CR2 bit15-bit8,130中高8位为保留字节，051则有其他定义，如fifo触发值与data size。因此130中没有该库函数：
SPI_RxFIFOThresholdConfig(LT8900SPI, SPI_RxFIFOThreshold_QF); //8bitsize->QF,16bit->HF 通讯库函数区别：
M0:
/* Send byte through the SPI1 peripheral */
SPI_SendData8(LT8900SPI, *pu32Data);
/* Wait to receive a byte */
while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);
/* Return the byte read from the SPI bus */
return SPI_ReceiveData8(LT8900SPI);GD130:
/* Send byte through the SPI1 peripheral */
SPI_I2S_SendData(LT8900SPI, *pu32Data);
/* Wait to receive a byte */
while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);
/* Return the byte read from the SPI bus */
return SPI_I2S_ReceiveData(LT8900SPI);Q5：使用HSE时，有效采样数的区别：
A5:
ST
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500) /*!< Time out for HSE start up */
GD130：
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x5000) /*!< Time out for HSE start up */Q6：中断向量表区别，GD兼容051，但又涵盖M3的中断入口。另外051不支持自定义中断入口偏移地址。
A6:
/* 自动重定位中断向量表 */
// NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, (BaseOfROM - NVIC_VectTab_FLASH)); //CM0不支持该功能 Q7：GPIO区别：
A7:虽然130为M3，但是GPIO部分与M0的寄存器结构完全一致。
Q8：Flash区别：
A8：虽然130为M3，但是Flash部分与M0结构大概相同，包含对OB区域的读写与读保护等级，多了一个烧断功能，此时不能还原为保护或无保护状态。
加读保护功能与M0一致，在使用JLink Flash中使用去除读保护是，device必须选择STM32F101系列，否则去除保护功能无效。
但有部分寄存器位有所不同，如：
FLASH->ACR = FLASH_ACR_PRFTBE | FLASH_ACR_LATENCY; //M3不支持该设置Q9:RCC区别：
A9：M0中只有APB总线给外设提供CLK，但是M3中分了两组不同的CLK对应不同的外设，分别为APB1，APB2。如下：
M0:
uint32_t SYSCLK_Frequency;uint32_t HCLK_Frequency;uint32_t PCLK_Frequency;uint32_t ADCCLK_Frequency;/* PCLK = HCLK */ RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE_DIV1;GD130：
uint32_t SYSCLK_Frequency; /*!< returns SYSCLK clock frequency expressed in Hz */uint32_t HCLK_Frequency; /*!< returns HCLK clock frequency expressed in Hz */uint32_t PCLK1_Frequency; /*!< returns PCLK1 clock frequency expressed in Hz */uint32_t PCLK2_Frequency; /*!< returns PCLK2 clock frequency expressed in Hz */uint32_t ADCCLK_Frequency; /*!< returns ADCCLK clock frequency expressed in Hz <span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;"> </span><span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">
</span> /* PCLK2 = HCLK */RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1; /* PCLK1 = HCLK */RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV1;Q10：ID读取位置：
Flashsize位置不同,130与M3一致，但UID却与M0一致。如：
M0：
#define rFlashSizeReg (*((uint16_t *)(0x1ffff7cc)))
#define Stm32_UIDBase (uint8_t *)(0x1ffff7ac)GD130:
#define rFlashSizeReg (*((uint16_t *)(0x1ffff7e0)))
#define Stm32_UIDBase (uint8_t *)(0x1ffff7ac)Q11：电源特性区别：
A11：
(1)工作电压2.6-3.6V,待机时电流为250uA;；
(2)由于mcu启动功耗大于st，因此mcu稳压电容验证将1uF改为47uF,解决上电瞬间电流过大，电源特性不稳定,电压输出被拉低至2V被强制关机问题;
如下图：
（1）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。GD32端稳压电容为1uF。
同样由于上电瞬间电压不稳导致无法启动芯片，区别图（3）。
（2）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。STM32端稳压电容为1uF。
3、GD130睡眠后被外部中断唤醒的SensorPwr，SensorPwr端加47uF稳压电容，可以正常启动，但是睡眠后唤醒会出现电压过低关机的现象。
（4）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。GD32端稳压电容为47uF，Sensor端为1uF电容。
综上，由于GD32启动电压较ST高0.6V，导致开机或休眠被唤醒瞬间电压不稳导致关机，图中多次启动是因为按键开关抖动导致多次触发。
（5）待机功耗，如图：
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