文章目录

  • 半导体二极管
    • 组成
    • 符号
  • 常见结构
    • 点接触型
    • 面接触型
    • 平面型
  • 伏安特性与电流方程
    • 【图象】
    • 【与PN结比较】
    • 【两种材料的二极管比较】
    • 【受温度的影响】
  • 主要参数
  • 二极管等效电路
    • 【将伏安特性曲线折线化】
    • 【微变等效电路】
  • 稳压二极管
    • 【符号】
    • 【伏安特性】
    • 【主要参数】

半导体二极管

组成

将PN结封装,引出两个电极,构成半导体二极管,简称二极管。有P区引出的电极为阳极,N区引出的电极为阴极。

符号

常见结构

点接触型

a.接触面积小,流过电流小
b.结电容小,工作频率高
c.适用于高频电路和小功率整流

面接触型

a.接触面积大,流过电流大
b.结电容大,工作频率较低
c.一般作为整流管

平面型

a.接触面积可大可小。灵活

伏安特性与电流方程

【图象】


1.Uon:开启电压(压降)
2.Is:反向饱和电流
3.U(BR):击穿电压
4.正向特性近似指数曲线图象,反向特性为横轴平行线

【与PN结比较】

1.电流方程适用
2.二极管与PN结一样具有单向导电性
3.二极管存在半导体电阻和引线电阻,外加正向电压时,电流相同,二级管端电压大于PN结上的压降
4.二极管表面由于存在漏电流,外加反向电压时,反向电流增大

【两种材料的二极管比较】


硅材料PN结平衡时耗尽层电势Uho比锗材料大,因此硅的开启电压较锗大。

【受温度的影响】

温度升高
电流不变时,管压降下降
反向饱和电流增大(一倍/10度),击穿电压下降
正向特性曲线左移,反向特性曲线下移

主要参数

1.最大整流电流:长期运行时通过最大正向平均电流
2.最大反向工作电压:最大瞬时值(通常为击穿电压一半)
3.反向电流:未被击穿时的反向电流,值越小,单向导电性越强
4.最高工作频率:工作上限截止频率

二极管等效电路

【将伏安特性曲线折线化】


(a)等效成理想二极管
因:正向导通时,正向压降为零,反向截止时,认为反向电阻无穷大,反向电流为零
(b)等效成理想二极管串联恒压源【常用方法
因:正向导通时,正向压降为常数,反向截止时,认为反向电阻无穷大,反向电流为零
©等效成理想二极管串联恒压源和电阻
因:正向导通时,管压降与电流成线性关系,反向截止时,认为反向电阻无穷大,反向电流为零

【微变等效电路】

等效成动态电阻

二极管在静态基础上,又加一个动态信号作用时(电压源…),则可等效成一个动态电阻。
上图中Q点(静态工作点)为直流单独作用产生一对电流电压值,此时,外加一个小信号作用,以Q点为切线直线近似描述。
Q点越高,动态电阻越小
动态电阻公式

以二极管的微变等效电路可引出有关画出波形图问题,需牢记二极管正向导通反向截止定义等。

稳压二极管

由硅材料制成的面接触型二极管。

【符号】

注意与普通二极管的差别!

【伏安特性】

由一个PN结构成,反向击穿后,在一定的电流范围内端电压基本不变。

【主要参数】

1.稳定电压UZ:规定电流下稳压管的反向击穿电压
2.稳定电流IZ:进入稳压区的最小电流
3.最大功耗PZM=IZM*UZ
4.IZM:不至于损坏的最大电流
5.动态电阻:端电压变化量与电流变化量之比

稳压管电路中必须存在一个限流电阻保证稳压管正常工作。
因:反向电流较小,不稳定;较大超过额定功耗而损坏

以稳态电流范围为考点,考察稳压管电路

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