TI快充芯片-BQ25890
它是一个针对单个锂电池和聚合物锂电池的，5A开关模式电池充电芯片。它集成输入反转模块FET（RBFET-Q1），高端开关FET（HSFET-Q2），低端开关FET（LSFET-Q3）和电池FET（BATFET-Q4）。在高端门驱集成升压二极管。
功能描述：
1. 设备POR（Power-On-Reset）
VBUS和BAT给内部偏置电路供电，当VBUS大于Vvbus_uvloz或BAT大于Vbat_uvloz时，会启动休眠比较器，电池耗尽比较器和BATFET。I2C接口准备通信，所有的寄存器复位到默认值。在POR后，主控能够访问所有寄存器。
2.设备从电池供电启动
当电池存在且其电压高于耗尽截止阈值Vbat_dplz时，BATFET打开且将电池与系统相连接。REGN LDO保持关闭以最小化静默电流。BATFET的小Rds(on)以及BAT上的低静默电流可最小化传导损耗同时最大化电池运行时间。
设备通过BATFET管理放电电流，当系统超载或短路（IBAT>Ibatfet_ocp）时，设备立刻关闭BATFET并设置BATFET_DIS位，表示BATFET禁止，只有当充电器再次插入或其他使能BATFET方法开启时，才会重新使能BATFET。
3.设备从充电器供电启动
当充电器插入时，设备检测输入电源电压，开启REGN LDO和所有的偏置电路。当AUTO_DPDM_EN位设置后，在降压转换器启动前，检测设置输入电流限制值。从插入充电器的输入电源启动时序如下所示：
a. 开启 REGN LDO
REGN LDO的内部偏置电路与HSFET和LSFET门驱一样，LDO也有一个偏置轨到TS外部电阻。STAT的上拉也可与REGN相连。当所有一下条件满足是，REGN使能：
①VBUS大于Vvbus_uvloz
②在降压模式，VBUS大于Vbat+Vsleepz，在升压模式VBUS小于Vbat+Vsleep
③延迟220ms后完成
若以上任一条件不满足，则设备处于高阻态，且REGN LDO关闭。在HIZ态，设备低于Ivbus_hiz。设备在HIZ时电池启动系统。
b.输入源资格确认
在REGN LDO启动后，设备检测输入电源提供的电流大小能力，输入源必须满足以下条件才启动降压转换：
①VBUS电压低于Vacov
②当拉取Ibadsrc电流（一般为30mA）时，VBUS电压高于Vvbusmin
当以上所有条件满足时，状态寄存器VBUS_GD位会被设置为高，同时INT脚产生一个中断信号给到host。若设备检测充电器类型失败，则每2s重复一次检测流程。
c.基于USB2.0的插入充电器类型检测，来设置默认的输入电流限制寄存器以及充电器类型
d.输入电压限制阈值设置
f.转换器上电（Conerter Power-up）
4.输入源类型检测
设置VBUS_GD位和REGN LDO上电后，若设置了AUTO_DPDM_EN位，则充电器设备运行输入电源类型检测。
bq25985遵循USB电池充电规范BC1.2，且通过USB D+/D-线检测输入电源（SDP/CDP/DCP）和非标准适配器。另外当检测到USB DCP时，它在D+/D-上初始化可调节的高电压适配器握手信号。若设置MAXC_EN和HVDCP_EN位，则设备支持MaxCharge握手协议。
检测输入电源类型后，会产生一个INT中断脉冲给host。另外会改变以下寄存器和管脚：
①. 会设置输入限流IILIM寄存器的限流值
②.设置PG_STAT位
③.更新SDP_STAT位以表示USB100或其他输入源
host也可修改IILIM寄存器来改变输入限流值，不管输入电流优化器（ICO）是否使能，充电器输入电流都可以通过IINLIM寄存器低位或ILIM管脚来设置。
若AUTO_DPDM_EN禁止，则旁路输入电源类型检测。输入电流限流寄存器（IINLIM），VBUS_STAT和SPD_STAT位与前一个值相同。
5. D+/D-检测设置输入电流限流
bq25890包含D+/D-自动做输入电源检测以设置输入电流限制。D+/D-检测包含标准USB BC1.2，非标准适配器和可调整的高电压适配器检测。当输入电源插入时，设备开始标准USB BC1.2检测。USB BC1.2能够识别标准下行端口SDP，充电下行端口CDP和专用充电端口DCP。当500ms的DCD（Data Contact Detection）定时器超时时，则使用非标准适配器检测来设置输入限流值。
当DCP检测到时，设备初始化可调整的高电压适配器握手信号，包括MaxCharge等。握手将输入电源从5V提升到9V或12V。可通过清除MAXC_EN和HVDCP_EN位来禁止可调整高电压适配器握手信号。
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