20155335 2017-2018-1 《信息安全系统设计》第9周学习总结

本周的学习目标

了解常见的存储技术（RAM、ROM、磁盘、固态硬盘等）
理解局部性原理
理解缓存思想
理解局部性原理和缓存思想在存储层次结构中的应用
高速缓存的原理和应用

SRAM存储器的双稳态特性：只要有电，就能永远保持它的值，在干扰后也能迅速恢复
DRAM对干扰非常敏感,电容电压被扰乱后就永远不会恢复了。暴露在光线下会导致电容电压改变。摄像传感器本质上就是DRAM的阵列。
DRAM和SRAM存储器的特性对比：
- 只要有供电SRAM就会保持不变，而DRAM由于很多原因导致的漏电，早10-100毫秒时间内失去电荷。
- SRAM不需要刷新，DRAM由于会变化所以需要刷新
- SRAM的存取比DRAM快
- SRAM对光和电噪声干扰不敏感，而DRAM对这些干扰非常敏感
- SRAM单元比DRAM单元使用更多的晶体管，因而密集度低，而且价格贵，功耗更大

随机访问存储器（RAM）分为两类：静态和动态的，其中静态RAM(SRAM):快，作为高速缓存存储器。（几百几千兆）

动态RAM(DRAM)：作为主存，图形系统的帧缓冲区。（<=几兆），静态RAM：具有双稳定状态，它可以无期限地保持在两个不同的电压配置（状态）其中的一个。也可以保持在亚稳定状态，但这个状态易被干扰。由于它具有双稳定性，所以即使有干扰，当干扰消除时，它能很快地恢复到稳定值。

动态RAM
DRAM芯片封装在内存模块中，将每个位存储为对一个电容充电。对干扰非常敏感，电容的电压被干扰之后就永远不会恢复了。

磁盘结构

磁盘有若干盘片组成，密封在容器（磁盘驱动器）内；盘片中心有一个可以旋转的主轴，使磁盘以一定的旋转速率旋转；每个盘片的两个表面都有一组被称为磁道的同心圆；每个同心圆由一些间隙分隔成一组等容量磁道（通常是512字节），间隙中存储的是标识扇区的格式化位。
磁盘连同密封装置共同构成旋转驱动器。注意：固态硬盘（SSD）是没有旋转部分的。
磁盘上可以记录的最大位叫做磁盘容量。决定因素有：记录密度（磁道一英寸的段中可以放入的位数）；磁道密度（从盘片中心出发，半径一英寸的段内可以有的磁道数）；面密度（前两者乘积）

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