自举开关为啥用NMOS管，不用PMOS管

自举开关对输入信号范围有限制？

NOMS管和PMOS管的区别

首先，单从性能上讲，pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子，而pmos导电是空穴，电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右，导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句，迁移率是单位电场内载流子的运动速度。
另外，对于给定的器件尺寸和偏置电流，nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗，为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。
不是说pmos就一无是处了，在实际的CMOS工艺中，我们常常采用nwell工艺，在p-sub上形成很多相对灵活的局部衬底nwell作为pmos的衬底，所以，对于pmos来说，这种灵活性也经常被利用。
PMOS的噪声性能优于NMOS。PMOS器件的1/f噪声无疑比NMOS晶体管的低，因为前者输运空穴是在“埋沟”中，也就是在距硅-氧化物界面有一定距离的地方。（拉扎维P177）
除了PMOS本身的 Noise 比NMOS 小一點之外
有些電路之所以會採用 P-type 而不用 N-type 有可能是因為
用N-TYPE做可能會受到 Ground Bounce的影響如果改用 P-Type卻只會受到 Power IRDrop的影響
相較之下後者較佳. 因為在一般情況下 Ground的行為往往比POWER更加多變

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