FM25V05-GTR 存储器 CYPRESS
特征
■ 512 Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)
逻辑组织为64K×8
❐ 高持久性100万亿(1014)读/写
❐ 151年数据保留(参见数据保留和持久性
第14页)❐ 无延迟™ 写入
❐ 先进的高可靠性铁电工艺
■ 非常快速的串行外围接口(SPI)
❐ 频率高达40 MHz
❐ 直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
❐ 支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■ 完善的写保护方案
❐ 使用写保护(WP)引脚的硬件保护
❐ 使用写禁用指令的软件保护
❐ 1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
■ 设备ID
❐ 制造商ID和产品ID
■ 低功耗
❐ 3001 MHz时的有效电流
❐ 90A(典型)备用电流
❐ 5.睡眠模式电流
■ 低压操作:VDD=2.0 V至3.6 V
■ 工业温度:-40C至+85C■ 8引脚小轮廓集成电路(SOIC)封装
■ 有害物质限制(RoHS)合规
功能描述
FM25V05是512 K位非易失性存储器,采用
先进的铁电工艺。铁电随机接入
存储器或F-RAM是非易失性的,执行读写操作
类似于RAM。它提供了151年的可靠数据保留
同时消除了复杂性、开销和系统级别
串行闪存、EEPROM和其他引起的可靠性问题
非易失性存储器。
与串行闪存和EEPROM不同,FM25V05执行写入
以总线速度运行。没有发生写入延迟。数据是
在每个字节之后立即写入内存数组
已成功传输到设备。下一个公共汽车周期可以
在不需要数据轮询的情况下开始。此外
与其他产品相比,该产品具有显著的写持久性
非易失性存储器。FM25V05能够支持
1014个读/写周期,或超过1亿倍的写周期
EEPROM。
这些功能使FM25V05成为非易失性的理想选择
内存应用程序,需要频繁或快速写入。
示例包括数据收集,其中写入次数
周期可能对要求工业控制至关重要
串行闪存或EEPROM的长写入时间会导致数据丢失。
FM25V05为系列
EEPROM或闪存作为硬件替换。这个
FM25V05使用高速SPI总线,增强了
F-RAM技术的高速写入能力。设备
包含一个只读设备ID,允许主机
确定制造商、产品密度和产品
修订设备规格保证超过
工业温度范围-40C至+85C
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