《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集十

一：《晶圆硅锭生产工艺》

二：《半导体制造中的化学分析》

三：《掩模清洁技术工艺》

四：《硅垂直湿蚀刻》

五：《电流耦合效应的定义》

六：《晶圆超声清洗技术》

七：《刻蚀均匀性技术研究》

八：《半导体设备制造发展》

九：《晶体湿化学蚀刻制备》

十：《薄膜沉积方法》

十一：《二氧化硅化学蚀刻工艺》

十二：《光刻胶工艺开发及应用》

十三：《化合物半导体衬底加工》

十四：《晶圆制造工艺》

十五：《半导体制造知识》

十六：《光刻工艺》

十七：《超薄氮化硅技术 》

十八：《超薄硅片刻蚀技术》

十九：《MEMS简介》

二十：《单晶研磨工艺》

二十一：《InP电感耦合刻蚀》

二十二：《有机污染物分析》

二十三：《硅片各向异性化学刻蚀》

二十四：《光刻胶的氧化去除》

二十五：《硅表面的原子清洁》

二十六：《接触式光刻技术》

二十七：《晶圆级封装》

二十八：《半导体设备制造工艺》

二十九：《磷化铟光子集成电路技术与应用》

三十：《掩膜错位和晶圆错位对硅V型槽蚀刻的影响》

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